已知有机物A是光刻胶剥离液的主要成分之一,用于液晶显示器等,也可制高纯度医药制剂,F的最简式与D的分

已知有机物A是光刻胶剥离液的主要成分之一,用于液晶显示器等,也可制高纯度医药制剂,F的最简式与D的分,第1张

A水解得到B和C,B能被氧化,则B是醇,C是酸,C能发生显色反应,又能和碳酸氢钠溶液反应,所以C中含有羧基、酚羟基两种官能团;

B能发生连续氧化反应,F为对应的酯,再结合A的分子式及F的最简式与D的分子式相同,所以F是甲酸甲酯,D是甲醛,B是甲醇;

根据原子守恒知,C的分子式为C7H6O5,除去羧基,分子中应该含有3个酚羟基,因为A的部分结构与C相似,A中相同的官能团处于邻位,不同的官能团处于对位,所以A的结构简式为:,C的结构简式为:,C中羧基和碳酸氢钠反应,而酚羟基和碳酸氢钠不反应,所以G的结构简式为:,

(1)C能发生显色反应,又能和碳酸氢钠溶液反应,所以C中含有羧基、酚羟基两种官能团,故答案为:羧基和酚羟基;

(2)通过以上分析知,G的结构简式为:,故答案为:;

(3)①④属于取代反应,②③属于氧化反应,故答案为:①④;

(4)①的反应方程式为:,

故答案为:;

(5)该反应方程式为:,

故答案为:;

(6)尼泊金丁酯与A具有相似的结构,官能团的种类相同且个数均为1,即比A少两个酚羟基,结构简式可能为,因为丁基有4种结构,两个官能团连在同一苯环上有邻、间、对3种结构,所以符合条件的同分异构体有12种,

故答案为:12.

240度。光刻胶的烘烤过程中,为了将其稳固固定在硅片上并去除其中的有机成分,需要进行高温处理,温度达到240度,光刻胶中的有机成分会分解,形成大量的碳烟和杂质并碳化。光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展,更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。

电子束曝光光刻胶不能提前涂有毒。电子束曝光光刻胶不能提前涂,因为提前涂会增加显影后圆柱形模具之间的间距,从而改变各个模具元件中的光刻胶数量。电子束曝光光刻胶内最重要成分是对光敏感的有机物,另外就是能溶解光刻胶的溶剂,带苯环的polymer多是强致癌物,是有毒的。

各种光刻胶都不一样的

这个要看胶的说明书吧

一般来说,光刻胶=反应物质+增感剂+有机溶剂

反应物质有PVAC等等

增感剂有5-硝基苊等等

有机溶剂有环己酮等等

不同的光刻胶有不同的感光成分,193、248、365、436根据不同的曝光波长,和光刻工艺(如正性负性)来决定感光成分的化学官能团的结构。

(1)   (1分)

n + →  + nH 2 O (2分)

(2)加成(1分)

(3) + n NaOH →  (2分)

或 + n NaOH →

(4)酸性(与氢氧化钠、碳酸氢钠反应)、不饱和性 (与溴水、H 2 、酸性KMnO 4 溶液反应)(2分)

(1)根据高聚物单体的推断方法,很容易回答(1)题。

(2)比较A和B结构的差异,可知是A中的C=C键断开成环,这是一个加成反应。

(3)根据聚酯水解的规律,可写出本小题的化学方程式。

(4) B在酸性条件下水解得到的芳香族化合物是 ,它的性质具有酸性和不饱和性。

光刻胶是一种有机化合物,它受紫外光曝光后,在显影液中的溶解度会发生变化。一般光刻胶以液态涂覆在硅片表面上,曝光后烘烤成固态。 1、光刻胶的作用: a、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层中; b、在后续工序中,保护下面的材料(刻蚀或离子注入)。2、光刻胶的物理特性参数: a、分辨率(resolution)。区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸(CD,Critical Dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。 b、对比度(Contrast)。指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。 c、敏感度(Sensitivity)。光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值(或最小曝光量)。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。 d、粘滞性/黏度(Viscosity)。衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的粘滞性,就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重(SG,Specific Gravity)是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体,粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位:泊(poise),光刻胶一般用厘泊(cps,厘泊为1%泊)来度量。百分泊即厘泊为绝对粘滞率;运动粘滞率定义为:运动粘滞率=绝对粘滞率/比重。单位:百分斯托克斯(cs)=cps/SG。 e、粘附性(Adherence)。表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺(刻蚀、离子注入等)。 f、抗蚀性(Anti-etching)。光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。 g、表面张力(Surface Tension)。液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力,使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。 h、存储和传送(Storage and Transmission)。能量(光和热)可以激活光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。一旦超过存储时间或较高的温度范围,负胶会发生交联,正胶会发生感光延迟。3、光刻胶的分类 a、根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类:负性光刻胶和正性光刻胶。 负性光刻胶(Negative Photo Resist)。最早使用,一直到20世纪70年代。曝光区域发生交联,难溶于显影液。特性:良好的粘附能力、良好的阻挡作用、感光速度快;显影时发生变形和膨胀。所以只能用于2μm的分辨率。 正性光刻胶(Positive Photo Resist)。20世纪70年代,有负性转用正性。正性光刻胶的曝光区域更加容易溶解于显影液。特性:分辨率高、台阶覆盖好、对比度好;粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。 b、根据光刻胶能形成图形的最小光刻尺寸来分:传统光刻胶和化学放大光刻胶。 传统光刻胶。适用于I线(365nm)、H线(405nm)和G线(436nm),关键尺寸在035μm及其以上。 化学放大光刻胶(CAR,Chemical Amplified Resist)。适用于深紫外线(DUV)波长的光刻胶。KrF(248nm)和ArF(193nm)。4、光刻胶的具体性质 a、传统光刻胶:正胶和负胶。光刻胶的组成:树脂(resin/polymer),光刻胶中不同材料的粘合剂,给与光刻胶的机械与化学性质(如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等);感光剂,感光剂对光能发生光化学反应;溶剂(Solvent),保持光刻胶的液体状态,使之具有良好的流动性;添加剂(Additive),用以改变光刻胶的某些特性,如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。 负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯,一种天然的橡胶;溶剂是二甲苯;感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂,产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨;曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。 正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛,提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性,当没有溶解抑制剂存在时,线性酚醛树脂会溶解在显影液中;感光剂是光敏化合物(PAC,Photo Active Compound),最常见的是重氮萘醌(DNQ),在曝光前,DNQ是一种强烈的溶解抑制剂,降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后,DNQ在光刻胶中化学分解,成为溶解度增强剂,大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸,它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度,所以生成的图形具有良好的分辨率。 b、化学放大光刻胶(CAR,Chemical Amplified Resist)。树脂是具有化学基团保护(t-BOC)的聚乙烯(PHS)。有保护团的树脂不溶于水;感光剂是光酸产生剂(PAG,Photo Acid Generator),光刻胶曝光后,在曝光区的PAG发生光化学反应会产生一种酸。该酸在曝光后热烘(PEB,Post Exposure Baking)时,作为化学催化剂将树脂上的保护基团移走,从而使曝光区域的光刻胶由原来不溶于水转变为高度溶于以水为主要成分的显影液。化学放大光刻胶曝光速度非常

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