oppo,k9s和荣耀x40i那个好？

摘要 亲亲您好，荣耀50，1、屏幕方面 oppok9： 搭载的是643英寸的AMOLED屏幕，可以为用户提供很好的手机90Hz的屏幕刷新，带来十分流畅的手机屏幕显示，同时为用户提供很好的手机FHD+分辨率 荣耀50： 这款手机为用户提供的是657英寸的OLED 屏幕，带来很好的手机 120Hz的屏幕刷新 ，同时为用户提供很好的手机FHD+分辨率，带来很好的手机分辨率，支持自适应屏幕刷新 小结： 在手机的屏幕性能方面是荣耀50更好，不仅仅为用户提供很好的手机120Hz的屏幕刷新，带来很好的手机自适应屏幕刷新，带来更低的屏幕功耗。 2、性能方面 oppok9： 搭载的是骁龙768G处理器，是骁龙765G的迭代产品，可以为用户提供更好的手机5G性能体验 荣耀50： 同样的为用户提供的是 骁龙778G处理器 ，是骁龙765G的升级版本，可以为用户提供更好的手机中端5G性能 小结： 在手机的性能方面是搭载骁龙778G的荣耀50更好，可以为用户提供更好的手机性能体验 3、拍照方面 oppok9： 搭载的是3200万前置，可以为用户提供很好的手机前置拍照体验，同时为用户提供很好的手机6400万主摄+800万超广角+200万微距，带来很好的手机日常拍照需求 荣耀50： 这款手机同样的为用户提供3200万前置，还为用户提供很好的手机 一亿像素主摄+800万超广角+200万微距+200万景深 ，带来很好的手机vlog和一亿像素拍照体验。 小结： 在手机的拍照方面是荣耀50更好，可以为用户提供很好的手机拍照性能，带来很好的手机拍照玩法体验。 4、续航方面 这两款手机搭载的是相同的 4300毫安 的电池，带来很好的手机 65w和66w的充电速度 ，带来很好的手机续航体验 咨询记录 · 回答于2022-05-09 oppo+k10跟荣耀50那个好 您好，很高兴为您服务，您的问题我已经收到，正在为您整理答案，打字需要时间，还请您耐心稍等片刻，马上为您解答！ 亲亲您好，荣耀50，1、屏幕方面oppok9： 搭载的是643英寸的AMOLED屏幕，可以为用户提供很好的手机90Hz的屏幕刷新，带来十分流畅的手机屏幕显示，同时为用户提供很好的手机FHD+分辨率荣耀50： 这款手机为用户提供的是657英寸的OLED 屏幕，带来很好的手机 120Hz的屏幕刷新 ，同时为用户提供很好的手机FHD+分辨率，带来很好的手机分辨率，支持自适应屏幕刷新小结： 在手机的屏幕性能方面是荣耀50更好，不仅仅为用户提供很好的手机120Hz的屏幕刷新，带来很好的手机自适应屏幕刷新，带来更低的屏幕功耗。2、性能方面oppok9： 搭载的是骁龙768G处理器，是骁龙765G的迭代产品，可以为用户提供更好的手机5G性能体验荣耀50： 同样的为用户提供的是 骁龙778G处理器 ，是骁龙765G的升级版本，可以为用户提供更好的手机中端5G性能小结： 在手机的性能方面是搭载骁龙778G的荣耀50更好，可以为用户提供更好的手机性能体验3、拍照方面oppok9： 搭载的是3200万前置，可以为用户提供很好的手机前置拍照体验，同时为用户提供很好的手机6400万主摄+800万超广角+200万微距，带来很好的手机日常拍照需求荣耀50： 这款手机同样的为用户提供3200万前置，还为用户提供很好的手机 一亿像素主摄+800万超广角+200万微距+200万景深 ，带来很好的手机vlog和一亿像素拍照体验。小结： 在手机的拍照方面是荣耀50更好，可以为用户提供很好的手机拍照性能，带来很好的手机拍照玩法体验。4、续航方面这两款手机搭载的是相同的 4300毫安 的电池，带来很好的手机 65w和66w的充电速度 ，带来很好的手机续航体验

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General Introduction

Technology in Mini/Micro LED Production

Fig 11 General of Mini/Micro LED Technology  (23)

Micro LED 特指其尺寸在 3 – 10 μm 的自发光 LED。其现有主要潜在市场是高分辨率的家用消费电子市场。

根据最终运用场景的不同, Micro LED 可以直接在 Si、GaN 或者 Sapphire 等基底上制作高分辨率显示屏供 VR 等产品使用, 也可以在衬底上制作完成后通过巨量转移的方式将 Micro LED 芯片在更大尺寸且带有逻辑电路的基板上进行组装, 从而满足手机和电视等大尺寸显示屏运用场景的需求。

Fig 12 Process Flow of Applying Micro LED for Large Size Display Use  (11)

Fig 13 Example of processing method in micro LED (31)

和 AR/VR 等运用场景中微小的屏幕尺寸相比, 手机、平板和电视上的屏幕尺寸较大。如果希望在这些场景中使用 Micro LED 甚至是 Mini LED, 则 LED 器件需要在基板上进行分离, 并在较大的基底上进行组装:

a图

b图

Fig 14 Examples of processing method in micro LED (33)

a图

b图

Fig 15 Examples of processing method in micro LED with integrated CMOS (33)

截至到 2019 年初, 在 Micro LED Display实现彩色分色上也主要两种主要的器件结构设计思路:

Fig 16 Example of processing method in Micro LED + color conversion (31)

常规的 Display还是以玻璃基板+TFT 为基础设计的。为了进一步提高良率并减少转移中的损耗, Yole 提出直接制作 Micro IC 形式来对 Micro LED 显示期间来进行凭借。其具体思路是 (31) :

根据显示屏幕需要组装所需数量的 Micro IC 芯片。

该方法的优点是其不需要 TFT 背板, 同时可以在 IC 代工厂里完成大部分的元件制作并有效的降低成本。

从屏幕生产的角度上来考虑, 工艺步数的减少可以有效的提高产品的良率。由此, 蓝色 μLED + color conversion on CMOS 的方式存在较大的竞争优势。

Fig 16 Example of Micro IC from Celeprint (31)

Fig 16 Example of Micro LED with Micro IC from Yole (31)

Production in Details

21 Epitaxial Growth

因为 Micro LED 结构中对功能层结晶态和结晶取向要求较高, Micro LED 需要在高度结晶的晶圆上进行生长。与 OLED 蒸镀有一定的相似性, 随着晶圆尺寸的增大, Micro LED 制作的数量和效率也会增大, 但是其成膜均匀性会收到一定的影响。

Micro LED 的主要生产材料是 GaN (红色的 Micro LED 用 GaAs 而其他颜色则可以用 GaN。因为 GaAs 较难制作, 所以红色 Micro LED 价格会比其他颜色更贵), 并采取侧延生长的方式在衬底上进行制作 (1) :

MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposition)(3) : MOCVD 是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和 V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料, 以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V 族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常 MOCVD 系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通 H2 的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行,衬底温度为 500 - 1200℃, 用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方), H2 通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。与 MBE 相比, 其生长速度快。

Fig 211 Example of MOCVD (1)

Fig 212 Example of MBE  (1)

在生长 Micro LED 时需要用到单晶的衬底/晶圆。常用于 Micro LED 生长的晶圆有 (1) :

从价格而言, 蓝宝石沉底最便宜, 而 GaN 衬底最贵。而从器件的性能而言, GaN 衬底制作出的器件其性能更加的优异 (1) 。

与 OLED 相比, 其两者驱动电路结构基本相同, 但是区别是 Micro LED 可以承受更高的驱动电流(1000A/cm2 vs 10 A/cm2) (1) 。

22 Approaches of Making μLED: Monolithic & Chiplet

Micro LED 显示屏有几种不同的制作形式:

Fig 221 Monolithic Approach on Micro LED  (1)

Fig 222 Example of Chiplet Approach on Micro LED (1)

通过 Monolithic 方式制作的 Micro LED 显示屏通常在基板上已经通过半导体工艺制作了逻辑电路。和 Chiplet 方式制作的Micro LED 显示屏相比, 其优点是具有更高的分辨率且更适合用于智能手表、Hud 抬头显示器和 AR/VR 等运用场景。但是晶圆的尺寸限制了 Monolithic Micro LED 在大尺寸显示场景下的运用。为了将 Micro LED 运用到显示面积更大的环境, 如手机、电视和幕墙中,一般则采用 Chiplet 的方式来进行 Micro LED 的制作。

Table21 Comparison Between Monolithic Approach and Chiplet Approach  (1)

23 Transfer in Chiplet Method

Fig 231 Examples of Mass Transfer Method on Micro LED  (10)

采用 Chiplet 方案制作 Micro LED Display的难点是如何无损的对芯片进行 De bonding/Release、Transfer、Bonding 和电极 Wire。

根据巨量转移的方式不同, 其又可以进一步细分为不同的方法和方案:

1、静电力 Static Electricity (13) : 采用具有双极结构的转移头, 在转移过程中分别施于正负电压:

但目前现况转移设备(Pick ＆ Place)的精密度是±34μm(Multi－chipper Transfer) (16) 。

2、范德华力 Van der Waals Force (13) : 该工艺使用弹性印模(Elastomer PDMS Transfer Stamp), 结合高精度运动控制的打印头, 利用范德华力进行 LED 芯片的抓取与放置。

Fig 232 Examples of Static Electricity Method (13) 

3、磁力 Magnetic (13) : 在 Micro LED 制作中计入含有磁性(Morganatic)的 bonding 层, 从而通过电磁的吸附和释放来实现 LED 芯片的抓取和放置。

Fig 234 Example of Magnetic Micro LED  (1)

Fig 235 Example of Fluid Assembly  (1)

Roll Printing: R2R 技术。和其他技术相比, 其理论成本更低, 但是工艺难度和挑战更大。

Fig 236 Example of Roll Printing Method by Rohinni (13)

在一些 Micro LED 转移/转印技术中, 需要用激光方式将 Micro LED 进行 Lase Induced Forward Transfer(LIFT)。Coherent 指出通过 LIFT 技术, 其每个激光 Shot 可以转移大概 10, 000 个芯片, 从而大幅度提高 Micro LED 转移效率 (25) 。Coherent 其在 2018 年的思路是先将 Micro LED 通过 LLO 的方式转移到中间载体 Template 上, 其后再用 LIFT 将 Micro LED 转移到最终的面板上。

Fig 237 Example of LLO & LIFT by Coherent 2018 (25)

Fig 237 Example of LIFT by Coherent 2018 (25)

于此同时, QMAT 在 2018 年 iMiD 会议上也展出类似技术并将其称为 Soft LLO (27) 。与 Coherent 思路不同的是 QMAT 直接在制作 Micro LED 时在中间加入 Transfer Release Layer, 然后采用脉冲LLO 将生长有 Micro LED 的 Wafer 直接当作 Template 来用 (27) 。

Fig 238 Example of Soft LLO by QMAT 2018 (27)

无论是哪种用法方式, 都需要一定的方式来将 Micro LED 从基板上脱离, 其后使其 Bonding 在目标衬底上。根据脱离方式的不同, 可以将以上几种巨量转移方式进行以下归类 (34) :

为了保证在最后衬底上 Bonding 后器件的良率, 一般可以考虑采取 Know Good Die(KGD)的方式(34) 在 Bonding 前进行预先检测。KGD 是一种预先检测的方式, 在制作完 Micro LED 后直接对其器件进行预点亮并进行观测, 由此可以发现有缺陷的器件。在转移过程中利用 KGD 检查的结果可以跳过缺陷器件, 从而理论上提高了最终成品的良率。

Fig 241 Example of LED Bonding  (14)

Table 22 Example of LED Bonding  (14)

LED Bonding 的封装技术随着运用场景和器件尺寸等的区别也各不相同。

Fig 242 Example of Lamp Bonding  (14)

Fig 243 Example of SMD Bonding  (14)

Fig 243 Example of LED COB Bonding  (14)

Fig 244 Process Flow Comparison of SMT and COB Bonding on mini LED  (22)

如果希望将 Micro LED 技术运用在手机、平板或电视的运用场景的话, 那么其 Bonding 的形式则与上述方法存在一定的差异。

Table 23 Wafer/Chip/Media 等 Bonding 形式对比 (15)

(a):  理论上在采取 COB 等形式 Bonding 时 ,  其间距有一定限制。 估现阶段认为其暂时较合适用于 Display Wall 的制作

Fig 245 Bonding in Short  (1)(7)

转印后, 再根据 Micro LED 芯片和目标基板 Bonding 中使用的材料不同, 其技术可以又可以具体分为:

Fig 246 Example of Cu/Sn/Cu bonding layer in vertical LED chip

Fig 247 共晶示例

Fig 248 Example of Micro LED bonding with Micro Tubes (30) 

Structure of Micro LED

31Bandgap, Color & PN Junctio

Micro LED 中发光颜色和半波宽等系数和发光区域能带间隙有关。波长和能带间隙的关系可以下列公式得出: :

其中 h 为普朗克常量; c 为光速。

对于常见颜色来说, 其波长和能量如下表所示 (19) 。

Table 311 Example of Wavelength & Energy & Color of RGB  (19)

对于无机材料而言, 能带间隙取决于材料组成和晶体结构, 对于常见的 LED 材料而言, 其半导体能带、材料和能带的关系如下图所示 (20) 。

Table 312 Example of Wavelength & Bandgap & Color in Common LED Device  (20)

在采取侧延生长方式制作 Micro LED 期间时, 为了避免原子形成晶苞之间 Grain Dislocation 等缺陷的存在, 其参杂的材料和生长基板间需要:

而无机材料的能带间隙又和材料的成分组成和晶体结构相联系。所以在 Micro LED 生长时, 需要通过对材料成分的调整来达到合适晶体结构和能带间隙 (1) 。

Fig 311 Example of Bandgap & Material Composition & Lattice Parameter  (21)

可见对于红绿蓝的 LED, 其生长衬底可以分别选择为 GaAs、GaP 和 SiC 衬底来进行制作, 而白光的 LED 可以用 GaN 晶圆来进行制作。GaAs、GaP 和 SiC (3C SiC 为 Zinc Blende, 而 4H 和 6HSiC 为 Hexagonal 结构) 为 Zincblende 晶体结构, 而 GaN 为 Wurtzite 晶体结构(一般为 GaN on Si 晶圆)。无论是在哪种衬底上进行生长, 为了保证器件的有序和完整, 其生长方向都需要尽可能地沿着材料的紧密排列方向进行(Close Packing Direction)。

Table 313 Common Wafers in Semiconductor Industry  (24)

除去半导体的能带间隙数值意外, 在制作半导体器件时还需要注意的是其半导体能带间隙类型。

那么理论上对于常见的几个 LED 衬底而言, 可见 GaP、AlGaP 和 SiC 等材料的为 Indirect Band Gap 材料。而 GaN 和 GaAs 为 Direct Band Gap 材料。Band Gap 的结构也会随着参杂的程度的改变而产生变化。例如 GaAs 向 AlAs 过度中其晶体能带间隙就逐渐从 Direct Band Gap 向 Indirect Band Gap 进行变化。

p-n 结是 LED 发光的核心结构。与 OLED 等其他自放光器件类似, 在 LED 中电子(e)和空穴(h)在 p-n 结中结合后发出光子发光。因为电子(e)和空穴(h)的浓度和传输速度存在一定的差异, 为了保证在 Micro LED 在工作时空穴或电子不会跃过 p-n 结而在非发光区域进行结合, 在实际器件中会加入 Hetero-Junction 结构对载流子的流动进行限制, 从而使得其载流子只能在固定能级的 Hetero-Junction 内进行结合并发出特定波长的光 (1) 。

Fig 312 Heterojunction in Micro LED  (1)

Fig 313 Examples of Typical Structure of Micro LED on Sapphire Wafer (1)

311 Case Study: More on GaN substrate

如前文所示, GaN 可以作为生产 Micro LED 的基板。一般的 GaN 基板需要在别的衬底上生长而来, 并根据生长衬底的不同可以进一步分为 GaN on Si 和 GaN on Sapphire。

GaN on Si 价格较为昂贵且衬底结构较为复杂。其主要原因是因为 (29) :

以上的影响因素再加上制作工艺的影响导致了 GaN on Si 的制作工艺复杂和良率较低等问题, 并堆高了售价。

在工业上对该方案的解决思路是通过加入不同的 buffer 层来减少 GaN 和 Si 之间的晶格差异以及 CTE 差异 (29) 。

Fig 314 Examples of GaN on Si  (29)

32 Chip Structure: Vertical, Flip Chip & Nanowire

根据 Micro LED 结构的不同, Micro LED 可以再进一步细分为:

Vertical 和 Flip Chip 制作工艺相对而言较为简单, 但是随着 Micro LED 尺寸的下降(< 3 μm) 其会发生 light Decay和 edge leakage (7) 。于此同时, Nanowire 3D 结构虽然制作工艺较为复杂, 但是其

在尺寸缩小的情况下发光面积依然较大, 所以其光效会更优 (7) 。

除去以上结构外, 还有 Face up chip 结构。该结构和 Flip Chip 结构相比, 其需要 Wire Bonding。因为 Bonding 需要区域较大, 其芯片尺寸一般大于 200 μm(属于 Mini LED 范畴) (9) 。

Fig 321 Face Up Flip Chip, Vertical and Nanowire Structure Mini/Micro LED  (2)(9)

Fig 322 Comparison between Face Up Chip & Flip Chip  (9)

不建议使用酒精擦拭OLED屏幕，因为有可能会损坏OLED屏幕表面，如果必须清洁屏幕，建议使用湿润的抹布加少许的肥皂水或是清洗剂擦拭，但是要确保不要用太多的水或清洗剂，避免液体进入屏幕内部造成短路。