关于刘翔的事情

★1983年7月13日9点28分，一个9斤重的男孩儿在上海降生了，他就是大宝（小名）。 ★1990年，刘翔7岁时，被上海市管弄新村小学的校田径队教练仲锁贵选中练习田径，从此与体育结缘。 ★1993年，四年级即将结束的时候，刘翔被顾宝刚老师选入上海市普陀区少体校，主练跳高、辅练100米短跑等，开始了职业运动生涯。 ★ 1996年，一次市100米跑比赛的机会，被上海体育运动技术学院（市体校简称二少体）田径队二线队教练方水泉看中，随后进入开始练习跨栏。 1996年获得上海市少年田径锦标赛乙组

（13—14岁）冠军。这是刘翔记忆中获得的第一个跨栏冠军。 ★ 1997年刘翔又一次获得上海市少年田径锦标赛乙组（13—14岁）冠军。 随后转入普陀区重点中学、上海市田径传统学校——宜川中学，一边读书，一边训练。 ★ 1998年8月初，江苏徐州举行全国青少年分龄赛田径比赛中，刘翔带伤打着封闭获得了全能项目的全国第二名。 ★ 1999年3月，在孙海平的全力争取下，刘翔回到了二少体练习跨栏，并进入一线队伍。从此刘翔与师傅孙海平结缘，最终创造了12秒91的神话。随后的1999年4月，全国田径大奖赛在上海莘庄举行，刘翔14秒19取得第四名，冠军被刘翔当时的师兄曹靖获得；1999年5月，参加河南少年锦标赛，以14秒56夺冠。 ★ 2000年10月，在智利圣地亚哥举行的世界青年锦标赛男子110米栏比赛中，以13秒87获得第4名；2000年11月，法国里昂室内赛，获得第三名。 ★ 2001年4月，广东中山 13秒70夺得亚军；5月，在上海举行的全国田径锦标赛暨系列大奖赛上，刘翔以13秒32的成绩获得了第一名。在这次新老跨栏王“争霸赛”上，刘翔战胜了他心目中的第一个跨栏对手陈雁浩。也是从这一次开始，刘翔完成了一次真正意义上的心理超越。2001年5月28日，刘翔获得了第一个世界冠军头衔——世界大学生运动会110米栏冠军。2001年刘翔获得全运会、东亚运动会、世界大学生运动会男子110米栏冠军。 ★ 2002年7月，瑞士国际田联大奖赛，刘翔跑出13秒12的成绩，打破男子110米栏亚洲纪录，并打破了13秒23的世界青年纪录，刷新了保持长达24年之久的110米栏世界青年纪录。 ★2003年3 月16日，英国伯明翰第9届国际室内田径锦标赛男子60米栏，第三名，7秒52,打破亚洲室内纪录，成为参加本次比赛唯一获得奖牌的亚洲选手，实现中国男选手在该项赛事18年来奖牌“零”的突破。 ★ 2004年5月8日，在日本大阪举行的国际田联大奖赛上，刘翔以13秒06的成绩夺得冠军并创造了当时个人最佳战绩，战胜了美国跨栏王阿兰·约翰逊的13秒12。这是刘翔第一次面对面地战胜了阿兰·约翰逊——他心目中的偶像，也是第二个重要对手。 ★ 2004年7月2日，国际田联大奖赛罗马站上，刘翔以13秒11，比阿兰·约翰逊慢千分之一秒的广东亚运会瞬间（图一）(18张)速度屈居亚军。不过与阿兰·约翰逊的成绩持平，为刘翔决战雅典注入了无穷的信心。 ★ 2004年8月27日，雅典奥运会男子110米栏决赛上，刘翔以12秒91，平了由英国选手科林·杰克逊创造的世界纪录，夺得了金牌，成为中国田径项目上的第一个男子奥运冠军，创造了中国人在男子110米栏项目上的神话！ ★ 2005年8月12日，在第十届世界田径锦标赛上，刘翔成绩是13秒08屈居亚军，以001秒的微弱劣势遗憾错失集奥运会和世锦赛冠军于一身的宝贵机会，但创造了中国男选手在世锦赛历史上的最好成绩。 ★ 2005年9月17日，上海国际田径黄金大奖赛，刘翔以13秒05夺冠，并创造了当时个人运动生涯第二好成绩。 ★ 2006年7月12日，刘翔以12秒88的成绩获得瑞士洛桑田径超级大奖赛金牌，并打破沉睡13年之久由英国名将科林·杰克逊创造的12秒91的世界纪录。这是亚洲男子110米栏的选手迄今为止第一次打破世界纪录，这也是亚洲男子110米栏的选手迄今为止唯一一次打破世界纪录。回国时穿上了耐克公司赶制的带有1288标志的衣服。 ★2006年9月9日，在德国斯图加特举行的国际田联田径大奖赛总决赛，男子110米栏决赛中，中国飞人刘翔以12秒93夺得冠军并打破赛会纪录，这也是中国选手第一次夺得国际田联总决赛冠军。（古巴新秀罗伯斯排名第二，取得13秒的当时个人职业生涯最好成绩；美国名将阿兰·约翰逊排第三，13秒01是他该赛季的最好成绩。） ★ 2007年2月，在德国田径室内赛上，刘翔以7秒42打破了60米栏亚洲纪录。 ★ 2007年6月2日，纽约锐步大奖赛冠军，成绩12秒92。（获得第二名的美国名将特拉梅尔跑出了12秒95的个人最好成绩。） ★ 2007年8月31日，在日本大阪的第11届世界田径锦标赛男子110米栏决赛上，刘翔创造了第九道奇迹，以12秒95获得冠军，成为集奥运会冠军、世锦赛冠军和世界纪录保持者于一身的男子110米栏大满贯得主。 ★2008年3月，在西班牙瓦伦西亚室内世界锦标赛上，以7秒46秒获得60米栏冠军。 ★2008年3月31日上午，刘翔从胡锦涛主席手中接过火炬，成为中国境内第一个火炬接力手，为奥运火炬接力拉开了序幕 ★2008年5月，四川汶川地震，5月14日刘翔和教练孙海平在国家体育总局捐款50万元。20日，刘翔的父亲刘学根来到上海市红十字会，代表刘翔向四川地震灾区人民捐款300万元。这是继5月14日刘翔和教练孙海平在国家体育总局捐款50万元以后的又一次爱心奉献。 ★在2008年北京奥运会8月18日上午11点举行的男子110米栏预赛第一轮第6组比赛中，刘翔由于右脚跟腱伤复发 ，遗憾地在首轮就退出了比赛。 刘翔

★2008年10月29日，刘翔在师傅孙海平等人的陪同下，踏上前往美国的班机，开始求医问诊之旅。 ★2008年12月5日晚，刘翔在美国休斯顿赫曼纪念医院进行脚部手术，这是中国飞人第一次被推上手术台。手术取得顺利成功。当地时间6日中午11时（北京时间7日凌晨），刘翔出院。 ★2009年3月7日19时，刘翔正式结束为期三个多月的美国疗伤，一行六人出现在休斯敦国际机场，提前踏上回国的航班。3月8日晚上，刘翔一行人飞抵上海浦东机场。 ★2009年04月21日刘翔捐出北京奥运火炬 ★2009年9月12日下午，上海黄金大奖赛组委会对外正式宣布了刘翔将参加9月20日的上海黄金大奖赛的消息。这意味着刘翔在伤退13个月之后将在家乡的跑道上复出。 ★2009年9月20日，上海国际田径黄金大奖赛上，刘翔跑出和冠军特拉梅尔同样的13秒15的成绩屈居亚军。（原因是特拉梅尔有效部位先撞线，刘翔可能比他慢千分之几秒。）这是刘翔在北京奥运会退赛后首次参加比赛。 ★2009年10月24日第十一届全运会，男子110米栏预赛中，以13秒75小组第二的身份顺利晋级决赛。 2009年10月25日第十一届全运会，男子110米栏决赛中，以13秒34获得冠军。成为全运会史上第一位男子110米栏项目上的三连冠！ ★2009年11月11日亚洲田径锦标赛，男子110米栏预赛中，以13秒82小组第一的身份顺利晋 刘翔

级决赛。 2009年11月12日亚洲田径锦标赛，男子110米栏决赛中，以13秒50顺利夺冠，实现该项目亚锦赛上的三连冠！ ★2009年12月11日，东亚运动会以13秒66夺冠。 ★2010年3月12日 多哈室内田径锦标赛预赛以7秒79获小组第三晋级半决赛。 2010年3月14日 多哈室内田径锦标赛半决赛中7秒68小组第二晋级决赛。 在3月14日的多哈室内田径世锦赛60米栏决赛中，获得第七名，7秒65也刷新了个人赛 季最好成绩；但创下参加四届室内世锦赛的最差战绩。 ★2010年5月23日的钻石联赛上海大奖赛110米栏决赛中，以13秒40获得第三名。 2010年11月24日广州亚运会110米栏决赛中，以13秒09获得冠军。

波动阶段

团队发展，亦称“团队建设”。是指组织开发中过程性干预方法。通过小组讨论和会议等形式分析问题、解决问题，协调群体内部关系，改进群体和组织的活动过程，最终完成工作任务。

分五个步骤：

(1)建立会议目标。

(2)收集资料。从团队成员中收集有关要解决的问题、内部如何沟通与发展建议的信息，并进行分类。

(3)会议计划。包括程式结构、系列活动、理论指导、角色与责任的定义等。

(4)讨论。对各组提出的解决方案进行评估、比较。具体做法：根据主次列出会议主题；提出有代表性问题的动力与结构特征进行讨论；制定解决方案；把解决问题的措施落实到小组和个人。

(5)检查计划实施的情况。遇到的新问题与结果，如有需要可再召开小组会议，调整计划与原始设计。

聚焦离子束扫描电镜双束系统（FIB-SEM）是在SEM的基础上增加了聚焦离子束镜筒的双束系统，同时具备微纳加工和成像的功能，广泛应用于科学研究和半导体芯片研发等多个领域。本文记录一下FIB-SEM在材料研究中的应用。

以目前实验室配有的FIB-SEM的型号是蔡司的Crossbeam 540为例进行如下分析，离子束最高成像分辨率为3nm，电子束最高分辨率为09nm。该系统的主要部件及功能如下：

1离子束： 溅射（切割、抛光、刻蚀）；刻蚀最小线宽10nm，切片最薄3nm。 

2电子束 ： 成像和实时观察

3GIS(气体注入系统)： 沉积和辅助刻蚀；五种气体：Pt、W、SiO2、Au、XeF2(增强刻蚀SiO2)

4纳米机械手：  转移样品 

5EDS： 成分定量和分布

6EBSD ： 微区晶向及晶粒分布

7Loadlock（样品预抽室）： 快速进样，进样时间只需~1min

由上述FIB-SEM的一个部件或多个部件联合使用，可以实现在材料研究中的多种应用，具体应用实例如下：

图2a和b分别是梳子形状的CdS微米线的光学显微镜和扫描电镜照片，从光学显微镜照片可以看出在CdS微米线节点处内部含有其他物质，但无法确定是什么材料和内部形貌。利用FIB-SEM在节点处定点切割截面，然后对截面成像和做EDS mapping，如图2c、d、e和f所示，可以很直观的得到在CdS微米线的节点处内部含有Sn球。

FIB-SEM制备TEM样品的常规步骤如图3所示，主要有以下几步：

1）在样品感兴趣位置沉积pt保护层

2）在感兴趣区域的两侧挖大坑，得到只有约1微米厚的薄片

3）对薄片进行U-cut，将薄片底部和一侧完全切断

4）缓慢移下纳米机械手，轻轻接触薄片悬空的一端后，沉积pt将薄片和纳米机械手焊接牢固，然后切断薄片另一侧，缓慢升起纳米机械手即可提出薄片

5）移动样品台和纳米机械手，使薄片与铜网（放置TEM样品用）轻轻接触，然后沉积pt将薄片和铜网焊接牢固，将薄片和纳米机械手连接的一端切断，移开纳米机械手，转移完成

6）最后一步为减薄和清洗，先用大加速电压离子束将薄片减薄至150nm左右，再利用低电压离子束将其减薄至最终厚度（普通TEM样品<100nm，高分辨TEM样品50nm左右，球差TEM样品<50nm）

一种如图4a所示的MoS2场效应管，需要确定实际器件中MoS2的层数及栅极（Ag纳米线）和MoS2之间的距离。利用FIB-SEM可以准确的在MoS2场效应管的沟道位置，垂直于Ag纳米线方向，提出一个薄片，并对其进行减薄，制备成截面透射样。在TEM下即可得到MoS2的层数为14层（图4c）， Ag纳米线和MoS2之间的距离为30nm（图4b）。

图5是一种锰酸锂材料的STEM像，该样品是由FIB-SEM制备，图中可以看到清晰的原子像。这表明FIB-SEM制备的该球差透射样非常薄并且有很少的损伤层。

FIB-SEM还可以进行微纳图形的加工。

图6a 是FIB-SEM在Au/SiO2上制备的光栅，光栅周期为150nm，光栅开口为75nm。

图6b 是利用FIB-SEM在Mo/石英上做的切仑科夫辐射源针尖，针尖曲率半径为17nm。

图6c 是在Au膜上加工的三维对称结构蜘蛛网。

图6d 是FIB-SEM在硅上刻蚀的贺新年图案，图中最小细节尺寸仅有25nm。

FIB-SEM可以对材料进行切片式的形貌和成分三维重构，揭示材料的内部三维结构。大概过程如图7a所示， FIB切掉一定厚度的样品，SEM拍一张照片，重复此过程，连续拍上百张照片，然后将上百张切片照片重构出三维形貌。图7b是一种多孔材料内部3×5×2um范围的三维重构结果，其实验数据是利用FIB-SEM采集，三维重构是利用Avizo软件得到，其分辩率可达纳米级，展示了内部孔隙的三维空间分布，并可以计算出孔隙的半径大小、体积及曲率等参数。

利用FIB-SEM配有的纳米机械手及配合使用离子束沉积Pt，可以实现微米材料的转移，即把某种材料从一个位置（衬底）转移到特定位置（衬底），并固定牢固。图8是把四针氧化锌微米线从硅片转移到两电极的沟道之间，从而制备成两个微米线间距只有1um的特殊器件。

最后，FIB-SEM还有很多其他的应用，例如三维原子探针样品制备，芯片线路修改等。总之FIB-SEM是材料研究中一个非常重要的手段。

不积珪步，无以至千里；不积细流，无以成江海。做好每一份工作，都需要坚持不懈的学习。