fem是由pa芯片跟lna芯片构成的,两者区别如下:
一、主体不同
1、pa芯片:第一款芯片的型号为PA-8000,主频为180MHz,后来陆续推出PA—8200、PA- 8500和PA-8600等型号。
2、lna芯片:片上集成了遵循SMSC/CD协议的MAC(媒体层)和PHY(物理层),符合IEEE8023/802U-100Base-Tx/10Base-T规范。
二、配置不同
1、pa芯片:处理器的设计主频达到800MHz以上。PA-8700使用的工艺是018微米SOI铜CMOS工艺,采用7层铜导体互连,芯片上的高速成缓存达到225MB。
2、lna芯片:单芯片高速 USB 20转 10/100 以太网控制器 集成支持全双工的 10/100 以太网 MAC 集成支持 HP Auto-MDIX 的 10/100 MAC/PHY 集成 USB 20 高速设备控制器。
三、特点不同
1、pa芯片:具有虚拟存储架构、统一数据格式、浮点运算、多媒体和图形加速等特点。
2、lna芯片:低功耗模式 11 个 GPIO 支持总线供电和自供电工作模式 集成通电复位电路 外置 33v I/O 电源 内置 18v 核心电源调节器。
-PA-RISC
-LAN9500
目前,区熔法的仿真,一般只有通过编程来实现,也有一些人采用通用型仿真软件来做,例如,2001年,KLin、RDold等人 用FIDAP有限元法对使用电阻加热式区熔单晶炉的热辐射进行数值模拟,但只求解了温度场;2002年,HKohno, T Tanahashi 等人使用GSMAC-FEM三维数值模拟方法对直拉法和区溶法生长单晶娃时熔体对流和融化变形过程进行研究,但仅仅只求解了流场的情况;我国的庞炳远 等人对区熔单晶桂单晶生长的电磁场有所研究;2013年,浙江大学的沈文杰,利用ANSYS软件,做了大直径区熔硅单晶生长设备电磁场及温度场的数值模拟与实验研究,考虑了两个物理场的因素。
可以看出,通用型软件无法实现多余2个物理场的控制因素,因涉及过于复杂的各物理场控制、耦合,工艺参数无法便利调节。世面上已经有了专用的商业软件,德国柏林技术大学的Wünscher ,利用FEMAG-FZ软件,分析了锗、硅单晶在区熔法生长过程中的温度场、线圈电磁场、氩气、氦气与熔体的流场,还有电磁力,转速的影响等等;比利时鲁汶大学的François Dupret 教授利用团队研发的FEMAG-FZ,确定恒定直径、最佳结晶速率所需要的坩埚旋转速度、加热器功率以及磁场强度等关系。
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