可控硅是电流触发进行导通的元件,也就是在控制极有一定值的电流时,它便会导通!可是没有电压哪来电流呢?所以,具体工作中都是通过改变控制极脉冲电压出现的时间(不是电压的大小,一般在5V左右)来控制它的通/断时间(导通角大小),从而在可控硅中便有不同的平均电流流过。你图一中是用模块控制周期性输出脉冲电压。图二是通过手动改变变阻器来改变电容C1的存电时间,也就是电容上端的脉冲电压出现时间来控制可控硅的G极。
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正确的
这个方法只是为了同学们便于记忆,目前对于DDR、DDR2、DDR3适用。三代内存只要它们后面跟的数值是成倍数关系的,那么它们的颗粒内部频率就相等,并且它们颗粒内部频率的数值等于DDR后面跟的数值的一半。比如DDR 400、DDR2 800、DDR3 1600,它们后面的数值400、800和1600就成了倍数关系,那它们颗粒内部频率的数值为DDR 400中的400的一半,即200。
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