电脑超频了，怎么降频？

提高但闹性能但是会减少使用寿命,

一．BIOS设置篇

BIOS是英文“Basic Input Output System”的缩写，中文名称为“基本输入输出系统”。一块好的主板，如果没有好的BIOS支持，想进行超频是很困难的。捷波为悍马HA01-GT2主板提供了功能强大的多种版本BIOS，使得大家在对CPU、内存等进行超频时非常方便。下面为大家讲解常用的BIOS超频选项及推荐值供大家参考。

（一）BIOS主界面

在BIOS主界面中，与超频有关的选项主要有以下几项：Advanced BIOS Features（高级BIOS功能设置）项； PC Health Status（计算机状态监控）项；Thermal Throttling Options（散热保护设置）项以及Power User Overclock Settings（高级用户超频设置）项等。

1Advanced BIOS Features（高级BIOS功能设置）

选中CPU Fearure项回车

其中的“K8 NPT C1E Support”（自动降压降频），超频时从系统稳定考虑，建议关闭；AMD K8 Cool&Quiet coatrol（CPU冷又静），建议关闭。

2 PC Health Status（计算机状态监控）

该部分主要显示系统各项电压值、温度及各风扇运行状态状态

其中，“Show PC Health in Post”用于设置系统引导时是否在开机界面显示电压、温度、风扇工作状态等信息；

“Shutdown Temperature”项用于设置是否启用系统保护，如选择启用，则当CPU温度超过某一设置值时，系统将自动关闭以保护CPU不致损坏；

“SMART FAN Configuratlon”为智能风扇控制台，可以设置根据温度自动控制风扇转速，以减小噪音。选择此项回车

在这里可以设置CPU达到何种温度时，风扇全速或低速运转，如果选择为“关闭”，则CPU风扇一直保持全速运转，建议超频时将其关闭以加强散热；

SFAN1（SFAN2） speed select用于选择主板风扇的运转速度，以百分比表示。

3Thermal Throttling Options（散热保护设置）

散热保护项用于设置CPU达到设定温度时，CPU自动降频，以及降频比例。其中的“CPU Throttling Beep”项如开启，则CPU温度达到设定值时，会启用声音报警。

此项设置在极限超频时建议关闭。

4 Power User Overclock Settings（高级用户超频设置）

此项为超频设置中最重要的部分，超频成绩与此项设置关系密切，需重点掌握。

Electricty Master：CPU降压设置，以百分比显示。

K8<->NB TH Speed：设置HT总线运行频率，根据CPU实际外频，建议设为3X或2X，超过1000Mhz的HT的设定，有可能造成系统不稳定或是北桥芯片过热。

K8<->NB TH Width：设置CPU与HT总线传输位宽，为提高性能，建议设置为“16”。

PCIE Clock：PCIE运行频率，默认锁定为100，不需要更改。

CPU Ratio：CPU倍频设置，K8系列只可下调不可上调（最新的黑盒子除外）。

CPU Frequency：CPU外频设置，范围从200～500，先不要设置太高，进系统后再用软件拉高。

DRAM Clock setting：内存档位设置，想找CPU极限的就设400档（有NB米条的除外），想找内存极限的设800档试试，根据你内存体质，也可以选用667档以兼顾性能与稳定。

Lock PCI Clock 33MHZ：默认锁定PCI设备工作频率为33；

CPU OverVoltage Setting：设置CPU电压，根据CPU类型和体质来设置，别太贪心哦，搞死CPU本鸟是不负责滴…

DIMM OverVoltages Setting：内存电压设置，同样不可贪心，常见的白菜价内存最好不要超过225V，烧掉就得不偿失了；

下面两项就不多说了，加不加压的对超频影响不太大，自已看着办吧。

接下来，选中“DRAM Configuration”回车，进入内存参数设置

各位XDJMS注意，很多时候CPU超不上去，跟这里的设置有很大关系，请想睡觉的同学们睁大眼睛竖起耳朵注意听讲。

DRAM Latency：预充电时间（TCL），一般简称CL，表示系统自主内存读取第一笔资料时所需的准备时间。在内存可以承受的情况下越快越好，开不了机或蓝屏的话放宽些吧。

RAS to CAS R/W Delay：列控制器至行控制器传输延迟（Trcd），内存控制器会先送出列(ROW)的位址，然后RAM收到列的位置后，经过一段时间，才会再传送行(Column)的位址，而这一段时间就是RAS Delay。设置原则同TCL。

Row Precharge Time：内存行地址控制器预充电时间（Trp），预充电参数越小则内存读写速度越快。

Mini RAS Active Time：内存活跃延迟（Tras），一般内存模组有分1bank跟2bank，当CPU在Bank1找完资料,Bank1便需要一段时间恢复才能再供利用,这一段时间就是RAM Active Time，根据内存体质越小越好咯。

DRAM Command Rate：传送、读取 “定址内存模组和内存芯片的频率循环”所需时间。可设置为“1T”或“2T”。1T拥有较少的延迟，较佳的系统内存性能，但稳定性较差；2T拥有较长的延迟、差很多的内存效能，但比较稳定，超频时建议设置为“2T”。

DRAM Bank Interleaving：存储区块交错式运行模式。默认为开启，目前的内存都支持这一工作方式，不需要更改。

DQS Training Control：数据信号时间差控制，一般不需要更改。

Memc Lock tri-stating：默认为关闭，没搞懂也没试过。

Memory Hole Remapping：内存孔洞重映射，使用32位操作系统的可以无视它。

Auto Optimize Bottom IO:自动优化底层IO，默认开启，不用理会。

DDRII Timing Item：开启此项，才可以调整内存每个内存通道的延迟。

TwTr Command Delay：内存读到写延迟，建议设成2或3。

Twfc（0～3）For DIMM（0～3）：CPU与内存槽的连接延时，建议都先设成195，稳定后再逐步收紧，可以跑75最好。

（Twr）Write Recovery Time：写恢复延迟，可以设为4～6。

（Trtp）precharge Time：内存预充电时间，默认值为3，也可以设为4。

（Trc） Row Cycle Time：内存的行周期时间，取11～26之间均可，内存运行一个完整周期的时间越快越好。

（Rrrd）RAS to RAS Delay：预充电时间，延迟越低，表示下一个BANK能更快地被激活，进行读写操作。

BIOS里有关超频的设置基本上就是这些，退出时记得保存，否则又要重新来过。OK，现在进入超频实战阶段。

二．实战超频

理论方面的东西大家都知道，下面进行实际操作。此次我们将一颗默认频率为2G的AMD 3800+超频到35G，测试其SUPER PI的成绩。

1 进BIOS中关闭AMD冷又静、自动降压降频等功能。

2 进BIOS中关闭智能风扇控制、高温自动关机等功能。

3 进入Power User Overclock Settings

设Electricty Master项为默认；

K8<->NB TH Speed项设为3X；

K8<->NB TH Width项设为16；

CPU Frequency项设为300外频起步；

DRAM Clock setting项设内存档位为667档起步（内存体质不好的同学还是设成533档吧）；

CPU OverVoltage Setting项设CPU电压为148V

DIMM OverVoltages Setting项设内存电压为24V

4 进入DRAM Configuration项，设内存参数为5-5-5-12-2T

Twfc（0～3）For DIMM（0～3）项全部设为75。

设置完成，保存后重启进入操作系统，打开ClockGen，打开两个CPU-Z，一个用于监视内存频率、参数；一个用于监视CPU频率及HT总线。再打开一个MyGuard，用于监视各系统电压、温度

众所周知，Cortex A系列的大核心一直以来功耗都相当令人感动，所以ARM才会研发对应的小核心，推出异构多核方案来解决综合续航问题。高通则走的是小核高频策略，依靠小得多的Krait核心，配合接近25GHz的频率，相对而言兼顾了效率和功耗。这一直以来是高通产品的竞争优势，但是既然骁龙810选择了Cortex A57+Cortex A53，这一优势自然也无法继续，那么如何解决Cortex A57的高功耗？一部分靠软件优化，一部分靠硬件优化，最重要的还是要靠工艺。所以骁龙810成为了高通产品线上唯一一个应用了TSMC 20nm工艺的产品。

只可惜TSMC又一次坑了高通。

由于28nm上的大放异彩，TSMC很早就决定提前研发16nm节点，后者会是台积电首次引入三栅晶体管，也就是FinFet，简称FF的工艺节点。FF可能是近几年来半导体工艺里最大的突破之一，当然也是最大的一道槛，在当时只有Intel掌握，其他厂家都还在摸索。TSMC认为提前研发16FF工艺，可以继续维持自己的领先优势，因此对于20nm工艺的态度显得非常随意，仅仅是28nm工艺的线宽缩小，并没有引入任何新的技术。一个没有引入任何新技术的工艺节点，仅仅缩小了线宽，能有多大的性能提升是可想而知的，就好比当年40LP工艺进化到28LP工艺一样。

与此同时，作为TSMC主要竞争对手的三星，也在全力研发14nm FinFet工艺，但是与TSMC稍有不同的是，由于在28nm HKMG工艺上相对落后，三星在20nm HKMG工艺节点上引入了Gate Last流程，这个改变让三星在20nm HKMG节点上可以分开处理NMOS和PMOS，结果是NMOS的性能提升了大约15%，而PMOS的性能提升了大约90%——这个事情TSMC在28nm工艺上就已经做了，三星虽然做的晚了一代，但是这也客观上导致三星的20nm HKMG工艺相对于自家28nm HKMG工艺的提升，要比TSMC 20SoC工艺相对28HPM工艺来得大。而两家的28nm工艺性能实际上是差不多的，因此结果就是，三星20nm工艺的总体性能要超越TSMC 20nm。那么TSMC 20nm到底是个什么水平呢？山寨分析师尝试了一系列对比，希望能得到一个大致的结果。

首先，我们来对比一下华为麒麟920处理器与三星Exynos 5430处理器。这两颗处理器的大核心都是r3p0版本的Cortex A15，前者工艺为TSMC 28HPM，后者为三星20HKMG。根据外媒测试结果，麒麟920在工作频率为17GHz时，Cortex A15单核功耗大约为15W，而工作在18GHz的Exynos 5430，单核功耗则是075W，三星20HKMG工艺的同频功耗比TSMC 28HPM要低了50%还多一点。考虑到麒麟920是华为的第一枚Cortex A15，而Exynos 5430已经是三星的至少第六枚Cortex A15产品，经验差距太明显，因此工艺带来的差距山寨分析师姑且认为是40%左右。

而TSMC 20SoC工艺，根据TSMC自己的PPT，同频功耗相对28HPM低了20%，即便不考虑TSMC幻灯片里满满的水分，即便这20%的数字是真实的，这也意味着TSMC 20SoC工艺相对于三星20HKMG同频功耗高了33%。

先记住这个数字，我们继续看一颗处理器，三星Exynos 5433。这是一枚Cortex A57处理器，与骁龙810相同，而工艺则是三星20HKMG。外媒测试表明，Exynos 5433运行在19GHz时，单颗Cortex A57核心功耗为15W。好，让我们应用之前的数据，就可以得出，以TSMC 20SoC工艺制造的骁龙810，单颗核心运行在19GHz时的功耗预计为199W。

要知道Exynos 5433的15W功耗，是在32位模式下得出的，而高通为骁龙810设计的最大工作频率是20GHz：这意味着骁龙810处理器如果真的可以运行在高通设计的20GHz下，那么只需要一颗核心满载，功率就可以突破2W，四颗就是8W，加上GPU，必然能突破华为麒麟920创造的115W峰值记录——要知道后者这可是整机功耗。这样大的功耗意味着什么，相信不需要山寨分析师再解释了吧。

这能不过热吗？能不降频吗？

甚至，骁龙810在没有因为过热降频之前，就会因为总功率过大而触发降频，毕竟超过8W的功率，即便来不及导致过高的温度，对于电池而言也是不可承受的。由此看来，骁龙810存在过热问题的传闻，有一定的事实基础，某种程度上说可谓空穴来风。

三、高通否认的是什么

不出意料的，高通坚决否认了骁龙810存在过热问题，一方面声称有60款采用骁龙810的产品即将问世，另一方面拉上了LG一起证明骁龙810真的不热。这到底是怎么回事？实际上，高通否认的过热，和骁龙810的发热并不是一回事，要理解这点，需要了解半导体芯片的所谓功耗拐点。

正常而言，半导体芯片的功耗随着频率的提升，是以一个介于直线到指数曲线之间的方式提升，因为功耗和频率成正比，和电压的平方成正比，随着频率的提高，电压也需要稍稍提升。但实际的芯片，当频率达到某一个特定值的时候，功耗会出现爆发式的增长，增幅远远超过之前正常的增幅，这个点就叫功耗拐点。

几乎任何实际芯片都有功耗拐点，这个和工艺有关，也和芯片的具体设计有关，因此绝大多数芯片都会把拐点安排在工作频率上限之外。问题是，最初版本的骁龙810芯片拐点可能实在是有些低。根据不久前流传出的某些新闻数据，最初版本的骁龙810芯片，功耗拐点可能低至146GHz——这绝对是无法容忍的，否则骁龙810的正常工作频率最高只能达到15GHz。当然，这个传言是否真实，山寨分析师无法考证，但是这可以形成一个解释的通的理论：高通通过紧急硬件修改，把功耗拐点从146GHz提升到了大约18GHz，让骁龙810至少拥有了可以工作的条件，虽然不知道这样的修改代价是什么。

因此，高通所否认的骁龙810存在的“过热问题”，实际上很可能是拐点过低导致的功耗不可控式爆发增长问题，它和我们理解的芯片正常发热量过大并不是同一个概念。否认了骁龙810存在“过热问题”，并不代表骁龙810的发热量不大，毕竟LG一方面帮高通证实骁龙810不存在过热问题，另一方面也在另外一个场合承认了骁龙810的确很热，这也从侧面佐证了山寨分析师的看法。

四、骁龙810实际情况究竟如何

说了这么多，其实最重要的是结果，那就是骁龙810究竟是什么水平。对此高通这几天通过外媒放出了一组跑分和发热测试数据。

具体的数据这里不列举，只提几个关键的：高通表示，骁龙810在以固定30fps运行游戏时，发热比骁龙801要低5度——后者达到45度，前者只有40度。同时，骁龙810的各项测试结果都显著的优于骁龙805，平均增幅可以达到30%以上。

这个结果看起来相当不错，但是请注意，这个结果是用这样一台开发原型机跑出来的：

说真的，山寨分析师相信现在任何一个买得到的手机处理器，如果塞在这个机身里，一定感觉不到发热，性能也会快的飞起，因为这个机身已经足够放得下热管风扇了。当然，这只是开玩笑，但是高通用这样一个设备来证明骁龙810的性能和发热，实在是让人觉得不太有说服力。

好在，骁龙810还是有实际手机产品的，那就是LG G Flex 2。在这台LG称骁龙810没有发热问题的机器上，骁龙810的表现究竟如何呢？

首先看看GeekBench3的结果。测试丧心病狂的执行了9次，结果如下。

GeekBench3执行一次测试的时间差不多一分钟，9次测试不过10分钟左右，性能跌落已经超过了50%，这显然是由于降频导致的。

再来对比一下Exynos 5430，为了对比，山寨分析师也丧心病狂的跑了9次。

把这两个表的数据汇总一下：

结果很明显，Exynos 5430的性能下降速度和幅度要远远低于骁龙810，而仅仅在第一次测试中，骁龙810的成绩超出Exynos 5430，从第二次开始，Exynos 5430就凭借更慢的降频，性能反超骁龙810，而在第九次时，单线程和多线程甚至分别领先了59%和51%——仅仅过去了不到10分钟。

在不需要考虑散热限制的高通MDP上，GeekBench3的得分是1318/4254。可见，当骁龙810进入到真正的手机里之后，受限于发热量和功耗上限，即便是短期性能，在GeekBench3里也出现了10～15%的下降，至于长期性能……

再看看其他几台预计采用骁龙810的手机在GeekBench3中的表现。SONY Z4的得分为1196/3576，HTC M9最好成绩之一为1309/4055。可见，1200/3600分基本上可以认为是骁龙810在手机环境下普遍的成绩基准，即便再激进，也只能达到1300/4000水平。

这样的成绩是什么水平？让我们来对比一下骁龙805，后者的单线程和多线程得分分别为1085/3242，这主要是由于骁龙805不支持ARMv8指令集，在GeekBench3里几个加密项目存在较为大的劣势，实际性能可以说是伯仲之间。

我们还可以更进一步的去对比一下更多实际应用程序和跑分。

结果进一步证明了，在实际应用和跑分测试中，由于功耗限制，骁龙810和骁龙805互有胜负，基本可以看作是同等水平，远没达到理想状况下超过30%的平均提升，而且在CPU密集型的应用，例如3Dmark的物理测试中，骁龙810甚至还有大幅度的倒退。

值得注意的是，这些都是理论最大性能测试，并不能直接决定实际体验。这方面来说，骁龙810由于首次引入异构多核心模式，很可能会和三星、MTK一样，碰到这个架构所特有的缺点：为了避免过高的功耗，系统会尽可能的用小核心，也就是Cortex A53来工作。骁龙810的4颗Cortex A53核心的工作频率仅为155GHz，如果纯靠小核心工作，其性能甚至比不过千元级中常见的，拥有8颗17GHz Cortex A53核心的MT6752；而要体现出骁龙810的性能，调用大核心又会带来无法接受的功耗，这是一个目前谁都没能解决的问题。实际上，在GeekBench3测试中，MT6752虽然单线程分数只有800左右，但是多线程却突破了4000分，甚至已经要比绝大多数手机中的骁龙810还高，这不知道是不是一种讽刺。

这个不会的，只要你用的爱惜就可以了。

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