苹果6手机内存越用越小怎么处理

苹果6手机内存越用越小还因为安装的软件会随着你使用的时间越长产生一些缓存，这些软件也会越来越大。可以定期清理手机内存，或是恢复出厂设置。

苹果手机是由美国苹果公司研发的智能手机系列，搭载其研发的iOS操作系统。2004年，苹果公司召集了1000多名内部员工组成研发iPhone团队，开始了被列为高度机密的项目，订名为“ProjectPurple”，当中包括iPhone的幕后设计师JonathanIve。当时苹果公司的首席执行官史蒂夫·乔布斯从原本的重点如iPad的平板电脑偏离至转向手机。苹果公司跟AT&T秘密合作创造了一些硬件和软件设备—当时的Cingular无线网络—AT&T并给予苹果公司投资及很大自由度，在30个月动用了约$15亿美元。作为交换条件，苹果公司保证在4年内，在美国出售的iPhone将交由AT&T独家发售。苹果以“Purple2”为开发代号启动了iPhone手机的开发计划，当时正值任天堂的NDS开始风行全球，iPhone诸如多点触摸等为设计元素显然也受到了影响。

苹果内存不够用时的扩容方法如下：

工具／原料：操作手机：iPhone 6 Plus、操作系统：iOS 10

1、我们在iPhone手机桌面上点击打开设置图标，如下图所示。

2、进入到iPhone手机的设置页面，点击打开iCloud，如下图所示。

3、在打开的iPhone手机iCloud详情页面中，点击存储空间，如下图所示。

4、进入到iCloud存储空间的详情页面，点击购买更多储存空间，如下图所示。

5、进入到升级iCloud储存空间列表页面，根据自己的需要选择相应的栏目，如下图所示。

6、选择完成，点击页面右上角的购买按钮，如下图所示。

7、这时，需要输入我们的iPhone手机解锁密码，点击好，按照步骤提示进行储存空间的购买即可，这样就完成了iPhone手机内存的扩展。

iphone6plus不能插扩展内存卡。可以通过程序管理，转移程序和数据到外置存储卡上，甚至可以关闭并卸载程序和数据，清理出手机存储空间。

2008年，美国当地时间6月9日，苹果首席执行官史蒂夫·乔布斯在今年的苹果全球开发商大会（WWDC2008）上正式发布了3G版iPhone。作为第二代iPhone，3GiPhone基本沿袭了第一代的外观和用户界面风格。用苹果的话来说，3GiPhone就是一个把宽屏iPod、与众不同的网络设备、以及具有创新意义的手机结合起来的产品。苹果以“Purple2”为开发代号启动了iPhone手机的开发计划，当时正值任天堂的NDS开始风行全球，iPhone诸如多点触摸等为设计元素显然也受到了影响。

　苹果公司1980年12月12日公开招股上市，2012年创下6235亿美元的市值记录，截至2014年6月，苹果公司已经连续三年成为全球市值最大公司。下面是我带来的关于iphone6可以扩展内存吗的内容，欢迎阅读!

　iphone6可以扩展内存吗：

　不可以。

　iphone6采用的固定式闪存、内存，闪存芯片/内存芯片焊接在主板上，不可以拓展存储空间/内存。

　iPhone 6是苹果公司(Apple)在2014年9月9日推出的一款手机，已于2014年9月19日正式上市。

　iPhone 6采用47英寸屏幕，分辨率为1334750像素，内置64位构架的苹果A8处理器，性能提升非常明显;同时还搭配全新的M8协处理器，专为健康应用所设计;采用后置800万像素镜头，前置120万像素 鞠昀摄影FaceTime HD 高清摄像头;并且加入Touch ID支持指纹识别，首次新增NFC功能;也是一款三网通手机，4G LTE连接速度可达150Mbps，支持多达20个LTE频段。

　2013年11月4日极特先进宣布与苹果签订多年蓝宝石材料供应合约。即将拥有/经营ASF熔矿炉以及相关设备、在苹果亚利桑那州厂生产蓝宝石材料，极特将自2015年起分五年陆续出货给苹果。

　2013年9月12日苹果已找到蓝宝石与玻璃的贴和(sapphire-on-glass)方式，可让组合好的蓝宝石玻璃屏幕厚度少于1毫米。

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　RDRA

　MIntel在推出：PC-100后，由于技术的发展，PC-100内存的800MB/s带宽已经不能满足需求，而PC-133的带宽提高并不大(1064MB/s)，同样不能满足日后的发展需求。Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus公司联合在PC市场推广Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)。Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一种内存规格，采用了新一代高速简单内存架构，基于一种RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，从而可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit总线，在一个时钟周期内，可以在上升沿和下降沿的同时传输数据，这样它的实际速度就为400MHz×2=800MHz，理论带宽为(16bit×2×400MHz/8)16GB/s，相当于PC-100的两倍。另外，Rambus也可以储存9bit字节，额外的一比特是属于保留比特，可能以后会作为：ECC(ErroI·Checking and Correction，错误检查修正)校验位。Rambus的时钟可以高达400MHz，而且仅使用了30条铜线连接内存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus内嵌式内存模块)，减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰，从而快速地提高内存的工作频率。不过在高频率下，其发出的热量肯定会增加，因此第一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。

　DDR3时代DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的18V降落到15V，性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。

　一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：

　18bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。

　2采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。

　3采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从18V降至15V，增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。部分厂商已经推出135V的低压版DDR3内存。

　DDR4时代

　内存厂商预计在2012年，DDR4时代将开启，起步频率降至12V，而频率提升至2133MHz，次年进一步将电压降至10V，频率则实现2667MHz。新一代的DDR4内存将会拥有两种规格。根据多位半导体业界相关人员的介绍，DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术)方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品。

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