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General Introduction
Technology in Mini/Micro LED Production
Fig 11 General of Mini/Micro LED Technology (23)
Micro LED 特指其尺寸在 3 – 10 μm 的自发光 LED。其现有主要潜在市场是高分辨率的家用消费电子市场。
根据最终运用场景的不同, Micro LED 可以直接在 Si、GaN 或者 Sapphire 等基底上制作高分辨率显示屏供 VR 等产品使用, 也可以在衬底上制作完成后通过巨量转移的方式将 Micro LED 芯片在更大尺寸且带有逻辑电路的基板上进行组装, 从而满足手机和电视等大尺寸显示屏运用场景的需求。
Fig 12 Process Flow of Applying Micro LED for Large Size Display Use (11)
Fig 13 Example of processing method in micro LED (31)
和 AR/VR 等运用场景中微小的屏幕尺寸相比, 手机、平板和电视上的屏幕尺寸较大。如果希望在这些场景中使用 Micro LED 甚至是 Mini LED, 则 LED 器件需要在基板上进行分离, 并在较大的基底上进行组装:
a图
b图
Fig 14 Examples of processing method in micro LED (33)
a图
b图
Fig 15 Examples of processing method in micro LED with integrated CMOS (33)
截至到 2019 年初, 在 Micro LED Display实现彩色分色上也主要两种主要的器件结构设计思路:
Fig 16 Example of processing method in Micro LED + color conversion (31)
常规的 Display还是以玻璃基板+TFT 为基础设计的。为了进一步提高良率并减少转移中的损耗, Yole 提出直接制作 Micro IC 形式来对 Micro LED 显示期间来进行凭借。其具体思路是 (31) :
根据显示屏幕需要组装所需数量的 Micro IC 芯片。
该方法的优点是其不需要 TFT 背板, 同时可以在 IC 代工厂里完成大部分的元件制作并有效的降低成本。
从屏幕生产的角度上来考虑, 工艺步数的减少可以有效的提高产品的良率。由此, 蓝色 μLED + color conversion on CMOS 的方式存在较大的竞争优势。
Fig 16 Example of Micro IC from Celeprint (31)
Fig 16 Example of Micro LED with Micro IC from Yole (31)
Production in Details
21 Epitaxial Growth
因为 Micro LED 结构中对功能层结晶态和结晶取向要求较高, Micro LED 需要在高度结晶的晶圆上进行生长。与 OLED 蒸镀有一定的相似性, 随着晶圆尺寸的增大, Micro LED 制作的数量和效率也会增大, 但是其成膜均匀性会收到一定的影响。
Micro LED 的主要生产材料是 GaN (红色的 Micro LED 用 GaAs 而其他颜色则可以用 GaN。因为 GaAs 较难制作, 所以红色 Micro LED 价格会比其他颜色更贵), 并采取侧延生长的方式在衬底上进行制作 (1) :
MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposition)(3) : MOCVD 是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和 V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料, 以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V 族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常 MOCVD 系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通 H2 的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行,衬底温度为 500 - 1200℃, 用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方), H2 通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。与 MBE 相比, 其生长速度快。
Fig 211 Example of MOCVD (1)
Fig 212 Example of MBE (1)
在生长 Micro LED 时需要用到单晶的衬底/晶圆。常用于 Micro LED 生长的晶圆有 (1) :
从价格而言, 蓝宝石沉底最便宜, 而 GaN 衬底最贵。而从器件的性能而言, GaN 衬底制作出的器件其性能更加的优异 (1) 。
与 OLED 相比, 其两者驱动电路结构基本相同, 但是区别是 Micro LED 可以承受更高的驱动电流(1000A/cm2 vs 10 A/cm2) (1) 。
22 Approaches of Making μLED: Monolithic & Chiplet
Micro LED 显示屏有几种不同的制作形式:
Fig 221 Monolithic Approach on Micro LED (1)
Fig 222 Example of Chiplet Approach on Micro LED (1)
通过 Monolithic 方式制作的 Micro LED 显示屏通常在基板上已经通过半导体工艺制作了逻辑电路。和 Chiplet 方式制作的Micro LED 显示屏相比, 其优点是具有更高的分辨率且更适合用于智能手表、Hud 抬头显示器和 AR/VR 等运用场景。但是晶圆的尺寸限制了 Monolithic Micro LED 在大尺寸显示场景下的运用。为了将 Micro LED 运用到显示面积更大的环境, 如手机、电视和幕墙中,一般则采用 Chiplet 的方式来进行 Micro LED 的制作。
Table21 Comparison Between Monolithic Approach and Chiplet Approach (1)
23 Transfer in Chiplet Method
Fig 231 Examples of Mass Transfer Method on Micro LED (10)
采用 Chiplet 方案制作 Micro LED Display的难点是如何无损的对芯片进行 De bonding/Release、Transfer、Bonding 和电极 Wire。
根据巨量转移的方式不同, 其又可以进一步细分为不同的方法和方案:
1、静电力 Static Electricity (13) : 采用具有双极结构的转移头, 在转移过程中分别施于正负电压:
但目前现况转移设备(Pick ＆ Place)的精密度是±34μm(Multi－chipper Transfer) (16) 。
2、范德华力 Van der Waals Force (13) : 该工艺使用弹性印模(Elastomer PDMS Transfer Stamp), 结合高精度运动控制的打印头, 利用范德华力进行 LED 芯片的抓取与放置。
Fig 232 Examples of Static Electricity Method (13)
3、磁力 Magnetic (13) : 在 Micro LED 制作中计入含有磁性(Morganatic)的 bonding 层, 从而通过电磁的吸附和释放来实现 LED 芯片的抓取和放置。
Fig 234 Example of Magnetic Micro LED (1)
Fig 235 Example of Fluid Assembly (1)
Roll Printing: R2R 技术。和其他技术相比, 其理论成本更低, 但是工艺难度和挑战更大。
Fig 236 Example of Roll Printing Method by Rohinni (13)
在一些 Micro LED 转移/转印技术中, 需要用激光方式将 Micro LED 进行 Lase Induced Forward Transfer(LIFT)。Coherent 指出通过 LIFT 技术, 其每个激光 Shot 可以转移大概 10, 000 个芯片, 从而大幅度提高 Micro LED 转移效率 (25) 。Coherent 其在 2018 年的思路是先将 Micro LED 通过 LLO 的方式转移到中间载体 Template 上, 其后再用 LIFT 将 Micro LED 转移到最终的面板上。
Fig 237 Example of LLO & LIFT by Coherent 2018 (25)
Fig 237 Example of LIFT by Coherent 2018 (25)
于此同时, QMAT 在 2018 年 iMiD 会议上也展出类似技术并将其称为 Soft LLO (27) 。与 Coherent 思路不同的是 QMAT 直接在制作 Micro LED 时在中间加入 Transfer Release Layer, 然后采用脉冲LLO 将生长有 Micro LED 的 Wafer 直接当作 Template 来用 (27) 。
Fig 238 Example of Soft LLO by QMAT 2018 (27)
无论是哪种用法方式, 都需要一定的方式来将 Micro LED 从基板上脱离, 其后使其 Bonding 在目标衬底上。根据脱离方式的不同, 可以将以上几种巨量转移方式进行以下归类 (34) :
为了保证在最后衬底上 Bonding 后器件的良率, 一般可以考虑采取 Know Good Die(KGD)的方式(34) 在 Bonding 前进行预先检测。KGD 是一种预先检测的方式, 在制作完 Micro LED 后直接对其器件进行预点亮并进行观测, 由此可以发现有缺陷的器件。在转移过程中利用 KGD 检查的结果可以跳过缺陷器件, 从而理论上提高了最终成品的良率。
Fig 241 Example of LED Bonding (14)
Table 22 Example of LED Bonding (14)
LED Bonding 的封装技术随着运用场景和器件尺寸等的区别也各不相同。
Fig 242 Example of Lamp Bonding (14)
Fig 243 Example of SMD Bonding (14)
Fig 243 Example of LED COB Bonding (14)
Fig 244 Process Flow Comparison of SMT and COB Bonding on mini LED (22)
如果希望将 Micro LED 技术运用在手机、平板或电视的运用场景的话, 那么其 Bonding 的形式则与上述方法存在一定的差异。
Table 23 Wafer/Chip/Media 等 Bonding 形式对比 (15)
(a): 理论上在采取 COB 等形式 Bonding 时 , 其间距有一定限制。 估现阶段认为其暂时较合适用于 Display Wall 的制作
Fig 245 Bonding in Short (1)(7)
转印后, 再根据 Micro LED 芯片和目标基板 Bonding 中使用的材料不同, 其技术可以又可以具体分为:
Fig 246 Example of Cu/Sn/Cu bonding layer in vertical LED chip
Fig 247 共晶示例
Fig 248 Example of Micro LED bonding with Micro Tubes (30)
Structure of Micro LED
31Bandgap, Color & PN Junctio
Micro LED 中发光颜色和半波宽等系数和发光区域能带间隙有关。波长和能带间隙的关系可以下列公式得出: :
其中 h 为普朗克常量; c 为光速。
对于常见颜色来说, 其波长和能量如下表所示 (19) 。
Table 311 Example of Wavelength & Energy & Color of RGB (19)
对于无机材料而言, 能带间隙取决于材料组成和晶体结构, 对于常见的 LED 材料而言, 其半导体能带、材料和能带的关系如下图所示 (20) 。
Table 312 Example of Wavelength & Bandgap & Color in Common LED Device (20)
在采取侧延生长方式制作 Micro LED 期间时, 为了避免原子形成晶苞之间 Grain Dislocation 等缺陷的存在, 其参杂的材料和生长基板间需要:
而无机材料的能带间隙又和材料的成分组成和晶体结构相联系。所以在 Micro LED 生长时, 需要通过对材料成分的调整来达到合适晶体结构和能带间隙 (1) 。
Fig 311 Example of Bandgap & Material Composition & Lattice Parameter (21)
可见对于红绿蓝的 LED, 其生长衬底可以分别选择为 GaAs、GaP 和 SiC 衬底来进行制作, 而白光的 LED 可以用 GaN 晶圆来进行制作。GaAs、GaP 和 SiC (3C SiC 为 Zinc Blende, 而 4H 和 6HSiC 为 Hexagonal 结构) 为 Zincblende 晶体结构, 而 GaN 为 Wurtzite 晶体结构(一般为 GaN on Si 晶圆)。无论是在哪种衬底上进行生长, 为了保证器件的有序和完整, 其生长方向都需要尽可能地沿着材料的紧密排列方向进行(Close Packing Direction)。
Table 313 Common Wafers in Semiconductor Industry (24)
除去半导体的能带间隙数值意外, 在制作半导体器件时还需要注意的是其半导体能带间隙类型。
那么理论上对于常见的几个 LED 衬底而言, 可见 GaP、AlGaP 和 SiC 等材料的为 Indirect Band Gap 材料。而 GaN 和 GaAs 为 Direct Band Gap 材料。Band Gap 的结构也会随着参杂的程度的改变而产生变化。例如 GaAs 向 AlAs 过度中其晶体能带间隙就逐渐从 Direct Band Gap 向 Indirect Band Gap 进行变化。
p-n 结是 LED 发光的核心结构。与 OLED 等其他自放光器件类似, 在 LED 中电子(e)和空穴(h)在 p-n 结中结合后发出光子发光。因为电子(e)和空穴(h)的浓度和传输速度存在一定的差异, 为了保证在 Micro LED 在工作时空穴或电子不会跃过 p-n 结而在非发光区域进行结合, 在实际器件中会加入 Hetero-Junction 结构对载流子的流动进行限制, 从而使得其载流子只能在固定能级的 Hetero-Junction 内进行结合并发出特定波长的光 (1) 。
Fig 312 Heterojunction in Micro LED (1)
Fig 313 Examples of Typical Structure of Micro LED on Sapphire Wafer (1)
311 Case Study: More on GaN substrate
如前文所示, GaN 可以作为生产 Micro LED 的基板。一般的 GaN 基板需要在别的衬底上生长而来, 并根据生长衬底的不同可以进一步分为 GaN on Si 和 GaN on Sapphire。
GaN on Si 价格较为昂贵且衬底结构较为复杂。其主要原因是因为 (29) :
以上的影响因素再加上制作工艺的影响导致了 GaN on Si 的制作工艺复杂和良率较低等问题, 并堆高了售价。
在工业上对该方案的解决思路是通过加入不同的 buffer 层来减少 GaN 和 Si 之间的晶格差异以及 CTE 差异 (29) 。
Fig 314 Examples of GaN on Si (29)
32 Chip Structure: Vertical, Flip Chip & Nanowire
根据 Micro LED 结构的不同, Micro LED 可以再进一步细分为:
Vertical 和 Flip Chip 制作工艺相对而言较为简单, 但是随着 Micro LED 尺寸的下降(< 3 μm) 其会发生 light Decay和 edge leakage (7) 。于此同时, Nanowire 3D 结构虽然制作工艺较为复杂, 但是其
在尺寸缩小的情况下发光面积依然较大, 所以其光效会更优 (7) 。
除去以上结构外, 还有 Face up chip 结构。该结构和 Flip Chip 结构相比, 其需要 Wire Bonding。因为 Bonding 需要区域较大, 其芯片尺寸一般大于 200 μm(属于 Mini LED 范畴) (9) 。
Fig 321 Face Up Flip Chip, Vertical and Nanowire Structure Mini/Micro LED (2)(9)
Fig 322 Comparison between Face Up Chip & Flip Chip (9)
今天是2022年2月4日，北京冬奥会正式开幕的日子，盛大的开幕式也受到了全网的关注。
据央视新闻频道报道，科技赋能艺术是本次开幕式的一大亮点，开幕式视效总监王志鸥在专访中透露，
开幕式上，观众会看到人工智能、AR、裸眼3D等多种技术的综合运用。
整个鸟巢超大地屏将首次实现全LED影像，以取代传统的地屏投影，画质将达到16K。
王志鸥表示：“实际上，我们这次的画面的像素非常高，是14000分辨率的巨幕屏幕，一万多屏的一个发光屏幕的巨幕。而且我们是1秒钟50帧，对于我们画面的一个要求。”
所以整场内容下来之后，这么大的数据量，每次一个节目都是几个T的数字内容，大家可以想象它是非常大的数字科技工程。
大家都知道，现在手机拍一张高清照片就几兆，一个蓝光**一两个G，
而这次随便一个节目都是几个T的数字量。
这个背后对于它的清晰度的要求、细节的要求都是呈几何的增长，这是之前在全球来说也没有人挑战过的。背后带来的科技升级、美学升级是更高的一个标准。
王志鸥强调：“从演出的那一刻开始，我们希望给全球人民带来中国新的一个语言。”
THEEND
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责任编辑：建嘉
作者丨翟更章
编辑丨石航千
亿邦动力讯扎克伯格和库克“吵”起来了。
2021年3月，Facebook创始人扎克伯格在为新一季度财报造势时，大谈公司在VR（虚拟现实）一体机的市场成就，强调自家VR布局正在和VR市场一同爆发。
在过去7年时间里，扎克伯格也一直大手笔投入VR软硬件领域，为自家生态布局。
但苹果CEO库克却在采访中激情澎湃地说：AR（增强现实）才是真正的未来。
扎克伯格气不过，随后在做客直播间时表态：AR眼镜是十年内最难的技术挑战之一，暗指苹果的AR眼镜远未成熟。
……
事实上，扎克伯格和库克并没有本质上的分歧，两人都曾公开表态：“AR眼镜将是下一代计算机”。其实是在为实现共识，碰撞更可信的路径。VR和AR虽然在当下的应用体验中尚存差异，但未来，两者并不会存在明确的界限，都会是通过技术创造和现实世界相关联的虚拟世界。
只是如今，两位掌握近5万亿美金资产的大佬的发声，让行业在吃瓜的同时也猛然意识到： 由智能手机构建的数字时代或将面临更迭，VR/AR真的要来了！
01
VR/AR来了
智能手机面临替代危机
从“斗嘴”到用“元宇宙”概念搅动全球市场，扎克伯格和库克在VR/AR领域显得异常活跃。但在十年前，这些话题还是微软、任天堂、Sony们角力的战场，微软是第一个提出“下一代计算机”愿景的企业。
2010年，时任微软CEO鲍尔默在发布Kinect体感套装之后，就开始四处宣传微软正在研发下一代计算机。2015年，这个“下一代计算机”——HoloLens头盔发布，是一款分体式AR眼镜。随后，现任微软CEO纳德拉直接将HoloLens上升到了“人类前所未有的能力”层面，并将其定义为MR（混合现实）头盔。
2016年，微软和老搭档Intel开始一起展示VR/AR领域的成绩，分别推出Project Alloy和Project Evo项目。两家错失智能手机市场之后，立誓要抢先布局并提前拿下下一代计算机——VR/AR。Intel甚至在开发者大会上明确表示，自己的规划就是，打造新一代“能够感知和理解世界的能力”的设备。
2018年，高通发布第一代VR/AR设备专用芯片XR，并对外明确：XR（扩展现实）是下一代移动计算平台。
这是早期大佬们对未来的预判：VR/AR将替代如今的计算机形态。
其实，曾经大家也认为智能手机会取代PC，但直到今天更先进的技术产品出现，智能手机也没能完成这一任务。这预示着一个“可怕”的现实：在这场由技术推动的新旧宇宙切换中，最先被替代的，或将是智能手机。
事实上，无论MR还是XR概念，其真实落地的终极产品形态都是“一体式AR眼镜”。可仅仅是作为过渡产品的VR头盔们，能力已经足够替代智能手机。
在软件生态上，智能手机和PC将会被无缝替代。对比智能手机，VR/AR设备能够提供比键鼠、触控屏更精准更符合直觉更高效的手势交互体验，无论是Windows、macOS、Linux还是Android、iOS，他们的软件服务可以直接在VR/AR设备中使用，同时还能做到更高的性价比。重要的是，VR/AR设备在覆盖手机的软件生态之外，还能提供更多独特的软件生态服务。
商业场景方面，VR/AR有能力实时扫描现实世界，实时推送、标注与相关事物关联的超链信息。这使得用户获取信息的效率（数量和质量）快速提升，相当于将所有线下事物线上化，直接拓宽了互联网的商业空间。
而从消费场景来看，VR/AR在社交、办公、 游戏 、影视、教育、企服等领域已经有了诸多优秀案例，只待VR一体机销量的规模爆发。彼时，包括电商在内的PC互联网、移动互联网业务都可以直接无缝转入VR/AR，获得超越智能手机里的更好体验。
回看VR/AR生态，已经发展了超过十年时间，始终没能展现“威力”，直到2021年元宇宙大热才走向大众。但其实，这个转变并非只源于元宇宙概念的出现，而是背后的技术和硬件能力的突破，终于达到了承接行业爆发的程度。
时间回到2012年，当时整个消费电子行业还在讨论，如何满足用户对屏幕的无线需求、如何打造更符合直觉的操控体验；2014年，第一代VR设备——Google Cardboard的VR盒子出现，虽然市场保有量迅速过亿，但因为体验问题没解决未能普及。
然后就是HTC、Sony、valve、Oculus主打的PC外接VR头盔，和以20亿美元天价被Facebook收购的Oculus研发的3自由度VR一体机。但PC外接VR头盔价格过高，难以进入大众市场；3自由度VR一体机 游戏 体验差，与智能手机、 游戏 主机、PC等相比没有竞争力。同期，Google Project Glass智能眼镜也因为体验问题，经过几轮挣扎后彻底退场。
实际上，VR/AR过去10年发展的最大困境在于核心芯片组和屏幕技术，尤其是核心芯片组。直到2019年底，高通第二代VR/AR专用芯片XR2发布，才出现了一套性能合格、能够支持6自由度、双目摄像头空间定位技术成熟的解决方案。而后经过一年多的产品研发、软件适配，VR一体机市场才在2021年彻底爆发。
AR眼镜相关芯片、屏幕技术如今也正进入落地期。合格的AR眼镜用、单色Micro LED屏幕已经成熟量产，合格的全彩版也走在量产路上。而相关产品的芯片既可以使用高通XR2，也可以使用高通Wear系列。前者性能表现优秀，可用于分体式AR设备；后者功耗低，可用于轻便型AR智能眼镜。
与过去十年围绕 游戏 发展的智能设备潮不同，这一次的VR/AR设备从研发之初瞄准了颠覆智能手机的目标。沉浸式超大3D屏幕体验，模拟真实世界的操控体验，再加上可穿戴的轻便体验，都决定了这一全新产品形态未来将成为取代智能手机等产品的核心设备。
而这个结果似乎也并不遥远。当下，正处于VR头盔的成熟推广期和AR智能眼镜的落地 探索 期，市场进展比预计中的速度来的更快；AR眼镜也在快速成熟，有可能紧随VR头盔引爆市场。
02
全面爆发
消费电子巨头挤入市场
2021年11月，高通CEO阿蒙公开表示，Oculus Quest 2销量已破千万台。在随后的圣诞季购物潮，Oculus设备激活必须用到的Oculus应用，更持续霸占苹果App Store免费榜第一的位置。这意味着，在此期间，Oculus Quest 2的销售量在百万量级。这样的数据直接反超了常年霸榜的TikTok。
这对于VR/AR市场来说，是一个里程碑事件。
扎克伯格曾表示，当VR头盔市场存量达到1000万台时，VR商业生态就能进入自增长循环。而现在，这个节点已经到来。
2021年的Q2和Q3，HTC相继发布了自家的VIVE Focus VR一体机、VIVE Flow分体VR眼镜。业内数据显示，这一系列产品的销量也已经超过百万。可见VR设备的火爆趋势。
事实上，VR设备的火爆并不完全是因为元宇宙概念的热度，而是整个技术迭代让VR设备较此前有了明显的提升。6自由度、6G运存、128G内存，就早已经成为了各家最新一代设备的基础配置。（6自由度是指用户在使用过程中可以通过自身的空间移动同步体验虚拟世界）
上述HTC的两款设备，就是技术更迭后新体验设备的典型代表。
此外，今年年初开始，Meta还向业界疯狂暗示自家全新VR头盔Oculus Quest Pro。只是现在，市场还只能看到一个宣传视频，视频中虽然连产品概念图都未展示，但气氛已经拉满。
在VR一体机市场进入爆发节点的同时，AR眼镜产品技术也已经成熟，正在快速落地。
上个月，OPPO Air Glass智能眼镜的发布打响了消费电子品牌进入VR/AR领域的第一枪。只是，这一产品从实际应用来看，更像是“带屏幕的智能语音设备”。由于产品还处于落地应用初期，还难以实现重度AR服务，所以OPPO Air Glass的宣传语中也没有体现AR，而是创造了aR（辅助现实）这个词来阐述产品定位。
从技术配置上来看，OPPO Air Glass配备了绿色单色Micro LED屏幕、衍射光波导镜片和高通Wear 4100芯片解决方案。其中Micro LED屏幕、衍射光波导镜片是未来AR眼镜的关键技术。
VR/AR市场的爆发受制于产业链。2019年，OPPO发布过一款双目AR一体机，2020年还发布了分体式双目AR设备，不过两款都仅作为概念机展示。最终选择了性能相对简单、功能更加基础的智能眼镜量产。
好在，日前天风证券爆出苹果眼镜即将上市的消息，加大了整个行业对产业链的信心。而从目前市面上的几款类AR眼镜来看，在最核心的屏幕体验上，行业其实已经相对成熟。
其中，OPPO Air Glass确定在2022年春季上市，预告着AR眼镜行业核心的供应链已经成熟，接下来用户只需等待芯片性能升级和更优的解决方案。
03
“跑步进化”
VR/AR市场进入巨变期
和智能手机一样，VR/AR设备的发展，也呈现出了分形态、分阶段的节奏：VR一体机、AR智能眼镜、See Through（透视，即利用摄像头实时呈现周边环境的技术方案）式AR一体机、分体式AR眼镜、AR一体机，乃至于还处于“科幻”阶段的AR隐形眼镜。可以预判，每进化一步都可能对消费市场产生影响。
可以看到，VR一体机销售的爆发，已经直接“威胁”到了 游戏 主机市场。如今，VR一体机引领未来的定位和用户付费意愿已经对 游戏 开发者的产生了巨大的吸引力，而在 游戏 主机这样一个强调质量和独占特性的领域，失去开发者将很容易陷入生存危机。未来， 游戏 主机将随着这一趋势，逐渐演化为VR一体机的附属设备，以边缘计算功能存在。
而相比于 游戏 主机，VR一体机在消费者需求场景的覆盖方面，想象力也更大。比如观影、教育……随着3D影视、VR影视商业模式的成熟，包括智能电视在内的相关市场空间也将被压缩。
第二阶段和第三阶段是混合在一起的，See Through式AR一体机和AR智能眼镜交替共存。（See Through式AR一体机本质上还是VR一体机，通过摄像头将现实场景实时投影在头盔里，以达成AR效果。）
前者的成熟期与后者的成长期重合。而等到SLAM空间定位技术和手势操控技术成熟之后，配合更加炫酷的外观设计、全新屏幕技术的应用、高性价比的价格，再加上语音助手和物联网技术生态的成熟，See Through式AR一体机和AR智能眼镜将可以替代智能电视和平板电脑，甚至提供更好的应用体验。
第四阶段则是分体式AR眼镜。随着屏幕技术、无线串流技术和传输接口等技术的成熟，分体式AR眼镜将全面进入市场，进一步威胁平板电脑市场，甚至蚕食PC市场。特别是智能手机与分体AR眼镜的整合，将带来媲美PC的办公体验，传统PC笔记本市场将大幅下滑，直至面临彻底淘汰。
如今，USB Type C接口市场普及以及技术升级已经趋于成熟，WiFi7技术也已经进入市场落地，屏幕技术也比想象中进展要快。分体式AR眼镜甚至在当下市场发展的第一阶段，就实现了落地，但生态和体验的成熟要排在第四阶段。
第五阶段就是终极的一体式AR眼镜。在5G边缘计算和QoS的落地应用以及光芯片、Micro LED屏幕、WiFi7技术的发展下，一体式AR眼镜逐渐成熟，智能手机市场也将被取代。
一体式AR眼镜的普及和分体式AR眼镜的过渡，将促使智能手机、平板电脑、PC、 游戏 主机形态进一步整合，演变成廉价的备用休闲通讯工具和边缘网关。最终整个市场能够撑起规模的将只剩下一体式AR眼镜、中低端智能手机、智能手表。
与智能手机在PC市场外找到了新需求相比，VR/AR是完全基于智能手机软硬件生态生长出来的，这代表着VR/AR对行业的影响将加速到来。虽然技术的发展路线会分为5个阶段，但各阶段前后的时间间隔会比想象中要短，整个市场将会呈现混战状态。
放眼整个行业，面向消费端，VR一体机已经准备好进入大众市场；面向产业端，小尺寸高分辨率高刷新率的LCD、OLED、MicroLED屏幕和衍射光波导镜片技术正在快速投产，相关资源正被各方争抢。
如果按照扎克伯格等元宇宙的力推者所宣传的，元宇宙代表着全新的时代，那么VR/AR硬件技术的发展则决定了这个新时代来临的速度和对 社会 改变的深度。
确定的是，这场变革将比想象中来得快速和激烈！消费行业的从业者需要提前有完整的预判，以做出更好的切入点。
AR是Augmented Reality的缩写，中文翻译为现实增强(扩增实境)。AR是一种实时地计算摄影机影像的位置及角度并加上相应图像的技术。也就是说，AR就是将虚拟信息放在现实中展现，并且让人和虚拟信息进行互动。AR通过技术上的手段能够将现实与虚拟信息进行无缝对接。将在现实中不存在的事物构建一个三维场景予以展现，与现实生活相互衔接。
比如，迪士尼曾推出了一款名为“Disney Infinity”的游戏，用户可以借助AR技术和动画中的人物进行互动，让人觉得动画中的人物就在你旁边，然而事实上这个动画中的主角是不存在的。
羊年的春节晚会上，李宇春的表演也是利用了VR技术的工作原理。
AR最具特色的作用：
实现真实世界和虚拟事物的并存；
虚拟空间与现实空间同步，发展一致互动更强。
AR技术的在生活中的运用：
在医药领域：医生可以利用VR技术实时收集病人的病情数据，并将其与病人自身进行结合，从而判定病人的病状，对症下药。
娱乐领域：VR技术在娱乐领域的应用非常广泛，例如，迪士尼的Disney Infinity游戏。
商业领域：AR技术催生了一系列的智能APP，这些APP具有极强的趣味性。
LED大屏智能型与人互动有哪些技术？
一直以来，传统的LED大屏都是以“单向传播”的方式面向受众，这种方式不仅“被动”，而且渐渐也缺乏动感和新意。加之近年来，“大屏触碰”技术的发展，让OLED等显示技术逐渐抬头，而不能直接进行人屏互动恰好是LED显示屏的一大“硬伤”。因此随着led显示屏技术的蓬勃发展，以更好地方式嫁接LED显示屏与受众之间的互动，成为当前行业的“爆点”。那么现阶段LED显示屏实现“人屏互动”的方式主要有哪些
一、屏网联动
“互联网+”时代的来临，让业内一些反应迅速的人意识到传统媒体与新型媒体融合的发展趋势，并适时结合技术成功牵手新型媒体。“联网控播”就是一条LED大屏与互联网结合的发展之路，利用手机、PC、电脑等端口，进行联网操作，结合时下热门的二维码、APP等多项功能，实现LED大屏与受众之间的联合互动，刺激受众兴趣的增长，增强受众的参与性。
通过手机端APP操控LED大屏
通过扫描二维码来操控LED大屏
二、搭载触碰技术
近年来，随着LED显示技术的不断升级，LED显示屏在很多大型庆典活动、晚会、发布会、展示会、体育赛事等各类活动中担任着越来越重要的角色。事实上，LED显示屏已经可以通过搭载“触碰技术(感应器)”实现直接“人屏互动”，互动LED地砖屏就是最直接的证明。
与传统地砖屏只能按流程播放固定视频不同，具备互动功能的LED地砖屏可以根据人体感应原理，能够跟随人体活动呈现即时的画面效果，诸如在全球第一座智能LED球场——上海江湾体育中心的 “曼巴” 球场(House of Mamba)内安装了一块超大的触屏的 LED 地板。这块全部由 LED 屏幕组成的地板，能够追踪球员动态、模拟球员运动轨迹或者成为假想敌，在球场灯光与投影的配合下让一些虚拟场景变得真实可以参与。
全球第一座智能LED球场上的互动LED地板屏
2016年上海国际LED展上优景观复展出的互动地毯屏
三、吸纳其他互动技术
目前，LED大屏互动已经发展成为整个行业的趋势。除了通过搭载触碰技术实现人屏互动之外，LED大屏还可以通过吸纳体感技术、增强现实技术、人脸识别技术等前沿科技实现互动。
2016年上海国际LED展上运用体感、增强现实、人脸识别“三合一”LED大屏
2016年上海国际LED展上运用了增强现实技术的LED·AR智能广告机
增强现实AR虚拟试衣间
互动技术的出现让LED显示屏的应用更加多元化，“人屏互动”也成为LED显示屏功能和价值提升的一个重要方向。我们有理由相信，当前看到的LED大屏互动技术仍只是“冰山一角”，未来会有更多更棒的互动技术出现。
2019 年年初，安娜普尔纳地区下了据说是 70 年一遇的大雪，T 湖冻结，去往 T 湖的路也被大雪淹没，于是我们按照传统路线，翻越陀龙垭口（Thorang-La Pass, 5416m），到达 Jomsom。没有亲眼所见，甚是可惜。所以我的游记起名为记忆裂痕，因为它不完美，它有遗憾。但是也是因为大雪，让我们看到了银装素裹之下分外妖娆的 ACT。
chi vuol esser lieto, sia: di doman non c'è certezza
尽情享受当下，明天太不确定。
序幕
安娜普尔纳大环线-ACT，被美国国家地理杂志评为世界十大徒步线路之首。
ACT（Annapurna Circuit）在难度上是循序渐进的，从海拔较低的起点 Besisahar(790m) 开始攀升，直到翻越 5416m 的 Thorang-La Pass。平均每天爬升在 600m 左右。在低海拔路段，风景一般，并且有越野车可以到达，所以很多驴友也会选择坐越野车的方式到达 Chame，这样也节省了几天时间。
具体行程
Day 1：Kathmandu
从上海出发，中转广州，经过七个小时的飞行，终于到达加德满都。
下了飞机，在进入海关之前，先在自助机上填写个人信息即可，有专门的中国公民的通道。
加德满都街景
Day 2：Kathmandu- Besisahar(820m) - Chyamche(1430m)
车程: 10 小时。
凌晨下过雨了，被雨声吵醒，起来梳洗，将不带进山的物资归类放在酒店里寄存。
加德满都泰米尔地区一角
早餐过后驱车从加德满都出发，沿着加德满都河谷和翠苏里河行驶，天气还没有转好，盘山公路上总有堵车。午饭时天气渐渐放晴，下午我们继续驱车前往 Besisahar，这里是 ACT 环线的起点，我们也是在这里遇到我们的向导人望。
chapati，印度的一种饼，在巴基斯坦 K2BC 的时候给我们留下了深刻的印象，至今念念不忘
Besisahar 之后，便算是进山了，换乘吉普车继续前往 Chyamche。山路因为下雨渐渐变得泥泞，山路也开始颠簸。两个小时后来到我们今天下榻的客栈，20 人的大团终于第一次团聚在一张饭桌上，互相认识。
向导人望是个 25 岁的尼泊尔小伙，短小而精悍，还会说中文，学习中文两年多，认识汉字，也会读写，和我们沟通全无障碍。
Day 3：Chyamche(1430m) - Chame(2620m)
车程：四个小时
出发前，我们在附近的山里闲逛，向导带我们前往客栈附近的小山坡上，那里有瀑布。
早餐后我们驱车前往 Chame，途中看到世界第八高峰玛纳斯鲁峰 (Manaslu，8156 米)。马纳斯鲁峰又称马纳斯卢Ⅰ峰，藏语称之为库汤格峰或库汤山，意为平坦的地方，用以描述其宽大的顶部。
山里的时光总是那么散漫。下午早到了客栈休整，洗洗衣服晒晒太阳。
听说附近有温泉，异常兴奋的是可以在水里撒欢，无可奈何的是没有带比基尼。穿着拖鞋，带上毛巾，欣然前往。地热的水真的很烫，泡脚都觉得很烫，加些凉水去洗澡确实个不错的选择。
Day 4：Chame(2620m)- Bhratang(2850m)-Lower Pisang(3200m)
难度：
强度：
风景：
徒步用时约 5 小时，徒步里程约 126km，累计上升约 1100m，下降约 400m。
早起，拍山。早餐过后我们收拾行装，立即出发。
开始的路程是一段 400 米的爬升，到了 Bhratang，午饭过后继续出发。
据说图中的地方是前十来天，一名驴友因雪崩而埋葬的地方。
去往 Lower Pisang 都是较为平坦的路。到达 lower pisang 的客栈已是下午三点多，我们卸下行李，换上厚实的衣服，带上相机，前往 Upper Pisang，这里有一座藏传佛教的寺庙。
以上由昆明小哥哥提供
Day 5：Lower Pisang(3200m) - Manang(3500m)
难度：
强度：
风景：
徒步用时约 7 小时，徒步里程约 186km，累计上升约 560m，下降约 345m
清早沿着河谷出发，首先迎来的是一个湖泊，能拍摄到 annapuerna 二峰的倒影。无法想象在这样的海拔，可以看到雪山脚下丛林茂盛，色彩丰富。
安娜普尔纳二峰 ，有没有看到人脸？
离开了湖泊，有一段平坦的“高速公路”，之后，将迎来一段 400m 直拔的连续上坡。
由于我行进较快，在半山腰的小店里等待大家。等大部队到齐了，再次出发。到达了一个更高的半山腰上，annapurna 二峰，四峰等山峰一字排开，壮丽无比。
由于我行进速度较快，便自告奋勇的和向导一起出发，先去中午吃饭的客栈点单，因为尼泊尔当地客栈的上菜速度真的太慢了，为了节省大家的时间，派人先行去点单，等大部队来的时候正好可以吃饭。
午饭过后继续向 manang 进发，首先迎来一个大下坡。我的强项是上坡，下坡对我来说真的较难，同样的坡度，我上坡的速度会比下坡的速度快很多。之后的路就比较平坦。
沿途风光，摄影：昆明小哥哥
沿途风光，摄影：队友兵哥
Manang 是 ACT 重镇，是最大的补给点。大口喝酒，大口吃肉在这里可以体验。因为之后的路往上物资将越来越匮乏，没有鸡肉和牛肉，没有啤酒和红牛，只有鸡蛋和蔬菜，wifi 也越来越贵，信号也越来越差。所以今天晚上我们集体吃牛排。
酒足饭饱，美滋滋的睡觉。
Day 6：Manang (3540m) - Yak Kharha - Ledar(4230m)
难度：
强度:
风景：
穿着建议：今天需要上海拔 4000m，午后的天气变化莫测，强烈建议，随身携带冲锋衣裤。抓绒帽必带，千万不能让头部着凉。
早餐吃了 ACT 著名的甜品：苹果派。据说 ACT 也叫苹果派路线，一方面，因为 Manang 的苹果派而闻名，另一方面，因为 ACT 的线路图有点像苹果派。ACT 的苹果派，真的甜到齁，真的太齁了。
早餐过后，收拾行囊，来到 annapurna conservation area project，惯例打卡。来到分叉路口，陀龙垭口和 Tilicho lake，非常不情愿的走向去往陀龙垭口的路。
今天的路还是缓坡上升的，上午还天气晴好，中午温暖的阳光使我们一度不想接着往上走了，但是午饭过后不久就变了脸。阳光不见了，起风了，慢慢看到雪线了，渐渐的有些下雨了，体感渐凉，停下来休息的间歇，把抓绒衣，冲锋衣都穿上了。
Day 7：Ledar (4230m) - High Camp (4925m)
难度：
强度：
风景：
徒步用时约 3 小时，徒步里程 59km，上升 668m，下降 65m
昨晚大风吹散了乌云，今早是个好天气。还未起床，先把相机掏出来拍摄对面的日照金山。今天的徒步，前半程仅为一人可通过，徒步两个小时到达 Thorong Phedi。
随着一个连续下坡，迎来一个之字形的连续上坡。
完成上坡，接着迎来一段落石区，需要快速通过。
，时长 00:11
来到一个台阶，只是一个下台阶，台阶较高，但是太滑，右手边就是悬崖，一个不慎，容易发生滑坠。
走在我前面是个来自英国伦敦的阿姨迅速通过，她还回过头来，用她字正腔圆的英语，问我：do you need help？
我使劲的点头：太需要了。
她和她的向导抓住我的胳膊，让我慢慢的挪下来，看我站稳了，他们便放开了我，可我居然滑倒了，我也真是够笨的了！！！
午饭过后，稍事休息，迎来的将是之字形的连续上坡，海拔爬升 400m。
由于我是最后一个出发的，为了赶超大部队的进度，我跟着领队走了一条捷径，虽然有他前面的脚印，我依然踩空了，脚陷入雪里，已经过膝，把腿拔出来继续踩，依然踩空了，我无奈的看向了人望，两手一摊：I need help。
人望和英国阿姨的向导走过来，像提个箱子一样地将我从雪里拎将出来，人望还对我说: take the right way。我后来才知道，山体也是有起伏的，雪覆盖了山体，我们就不知道哪些路会踩空，但是当地人知道，他们踩出来的路的下面是实的，我们不熟悉山体，另辟蹊径就容易踩空。
上坡是我的强项，难度不大，注意匀速呼吸，用时 50 分钟。
因为 high camp 只有一家客栈，所有需要过垭口的驴友都将在这里歇脚，床位非常紧张。人望在我们午饭前已经上山把床位都预定好了，但是两人间的依然很少。我因为走得快，抢到了为数不多的两人间中的一间。
海拔接近五千，特别要小心, 尤其注意头部和身体的保暖，以免着凉。
烤完火炉，回到房间睡觉保存体力，为了第二天翻越垭口。其实在五千米的地方睡眠不深，所以半夜睡不着外出拍摄星空也是个不错的选择。
我们是天上的星星/我们在孤单地旅行
我们是天上的星星/在天空相遇又分离
Day 8：High Camp (4925m) – Thorang-La Pass (5416m) - Muktinath (3800m)
难度：
强度：
风景：
徒步 7 小时，徒步里程约 106km，累计上升约 500m，下降约 1600m
凌晨四点半，我们出发了。我自告奋勇，跟随着向导走在队伍第一个。
不得不说，我的头灯实在太弱鸡了，亮度不够，强度也不够，全靠后面队友的头灯为我照亮了前方的路。经过一个小时的徒步，终于来到一间茶舍，此时天已经亮了，大家喝些热水，将头灯收起来，稍作调整继续出发。
路的尽头总还有路，上坡的尽头总还有上坡。
虽然因为年初的大雪，我们与原计划的 Tilicho Lake 擦肩而过，但是也是因为大雪，才显得这些山分外妖娆。
在当地时间 7：49 分，我终于到达了陀龙垭口。
垭口的雪真的很厚，对比垭口上的标识牌，以及朋友去年春节来的时候，朋友们都说我一定过了一个假的垭口。
我把我的名字写在了 ACT 的陀龙垭口上，证明我来过，我留下了我的名字，我的脚印，我的故事。不需要别人知道我，任凭喜马拉雅的风将我的名字随风刮走，任凭喜马拉雅的阳光将我的名字融化。
像是打过了此行的大 Boss，我们都异常兴奋。
到达了最高点，之后都是下坡的路，下坡路。。。坡路。。。路。。。又是我的弱项。无奈，笨鸟先飞，只能比别人先走。带好护膝，系紧鞋带，注意保护膝盖。
下坡时，积雪同样很厚，虽然前面的人将路踩出来，后来的人只需要踩着脚印下山即可，但是前面的人腿长脚大，我一个短腿的，要踩到下一个脚印，有时候不得已要做些类似劈叉的高难度动作，但是我的韧带又非常的紧，于是我们都想了一个好方法。
各位请看这个下坡，你们猜我会怎么下去？
答案：像滑滑梯般的滑下去。
在滑下坡去的过程中，原本穿着长袖，长袖被撩起，我的手肘直接被冰擦破了皮。路上的驴友用他带来的碘伏为我轻轻的擦拭。基于我每次旅行身上都会挂彩，以后我决定每次出行都带着红药水或碘伏。
ACT 是徒步滑雪一站式的极佳体验。
经过一系列的连续下坡，海拔直降 1600m，我那糟糕的身体平衡性和协调性使我在下坡途中摔倒近 10 次。
下午四点，我们到达 Muktinath。Muktinath 属于下木斯塘地区。因为最近印度人前来 Muktinath 来到印度教的寺庙朝圣，客栈几乎都满，花费了些功夫找了一家同时能容纳 20 人的客栈。客栈能够洗澡，但是热水却有限，我们请店家为我们多备些热水，抚慰风尘仆仆的我们。沐浴完，立即神清气爽了。经过了翻越陀龙垭口的洗礼，我早早的睡觉了。
Day 9：Muktinath (3800) - Jomsom
难度：
强度：
风景：
Muktinath 作为印度教和佛教徒的朝圣之地，是一个宗教文化极其浓厚的小村落。这里香火鼎盛，信徒往来不息，已经属于木斯塘地区。
木斯塘是尼泊尔境内最后一个自治王国，也是目前唯一完整保留传统藏传文化原貌的地区。它深藏于喜马拉雅山脉的隐秘之地，被称为“喜马拉雅的宝石”。其首都 lo-manthang 已被联合国教科文组织认证为世界文化遗产，是世界上保存最完好的中世纪城市之一。直到 1992 年木斯塘才对外开放，但外国游人需要得到许可证才能进入，许可证费用为 500 美元，可游玩 10 天，如果超时，超过一天，另收 50 美元。
远处带着帽子的（俗称“旗云”）便是世界第七高峰 – 道拉吉里峰
Muktinath(3800 米) 有一个很受欢迎的毗瑟奴寺，位于第一世界上海拔最高 (其次是 Tungnath 在印度，3680) 是一个神圣的地方的印度教徒和佛教徒位于 Muktinath 山谷海拔 3800 米的脚下的陀龙垭口。该遗址靠近 Ranipauwa 村，有时被错误地称为 Muktinath。
早上我们在人望的带领下，前往 Muktinath 的寺庙，有印度教的寺庙，再往上走，是一个藏传佛教的寺庙。在巴德岗的时候，因为我是非印度教徒，被拒绝进入印度教的寺庙。这个印度教寺庙是允许进入的。
为远离那爱别离的苦
你须历经千万次的生离
方可离无所离
为免受那求不得的痛
你必有万种所求无一所得
方可得无所得
上午 10：30，我们从 Muktinath 徒步到 Jomsom，海拔下降近 1000m。以我亲身的经验建议大家：别走，坐车，因为风沙实在太大，Muktinath 之后就通了公路，可以坐班车前往 Jomsom。
Day 10 ：Jomsom(2800 米)
今天在 Jomsom 休整一天，上午我们前往 Marpha，属木斯塘地区。徒步去坐车回，风沙太大，建议坐车往返。
这个村庄是美国的苹果之都，玛法白兰地和果酱都是用当地水果制成的。是安纳普尔纳环线上一个常见的过夜歇脚点，不像北部的约姆索姆（Jomsom）那么拥挤，也没有那么多游客。（ -- 摘自维基百科 ）
河口慧海（1866—1945）是 历史 上第一位进入西藏的日本人，而且他两次进藏，是 20 世纪初期诸多外国入藏者中一位颇具世界性影响的人物，也是日本藏学研究的先驱。
Day 11：Jomsom(2800 米)—Pokhara (827 米)
四点起床，收拾行囊，五点到达 Jomsom 机场，乘坐 6 点的飞机前往博卡拉。
尼泊尔的小飞机一般都是 17 个座位的。由于 lukla 机场的跑道的危险性，其他想往返 Jomsom 或者博卡拉的小飞机还是正常起降的。
博卡拉以小清新出名，没有加德满都那么拥挤嘈杂，尘土飞扬。在大街上，在湖滨区散步，泛舟于费瓦湖，滑翔、蹦极都是不错的体验。
Day 12 ：Pokhara
这一天，真是一言难尽。
四点多起来去看个日出吧，下雨了。也是由于下雨，上午的滑翔伞项目取消了，我们改为去世界和平塔。远眺费瓦湖，发现都是雾蒙蒙的一片，啥也没看着。
中午接到通知说下午雨停了，可以蹦极了，我怕吃过午饭去蹦极，怕自己会呕吐，我连午饭都没吃。前 20 分钟，工作人员告诉我们可以蹦极，后 20 分钟，我们到了店里他们告诉我，目前山上下雨，去了有可能遭雷劈（you will probably get electric shock）。
无奈，只能泛舟费瓦湖了。
还有，我的第二次博卡拉之行，又没有拍到鱼尾峰在费瓦湖的秀丽倒影。
不过，我也算有些和第一次（2014 年国庆）来的不同的体验：去了世界和平塔，在费瓦湖上泛舟游湖。
雨后江岸天破晓，老舟新客知多少，远山见竹林芳草，晨风抚绿了芭蕉
柳叶桨溅桃花浪，汀州里鹤眺远方，饮一盏岁月留香，唱一曲往事飞扬
Day 13 ：Pokhara -Kathmandu
今宵酒醒何处，杨柳岸晓风残月
最后来到费瓦湖边晃一圈，惯例打卡。
不惊险，不刺激，不好玩，回家！
坐上车去往博卡拉机场。
旅行接近尾声，总是有些遗憾与不舍。今天天气依然不好，早上还飘了零星小雨。接着，我们就被告知：加德满都因为雷暴天气，所有小飞机均已停飞！领队和向导立即联系了车，送我们回加德满都。
晚上 8：30，终于到了机场，还差 8 分钟，我赶上了。
多么惊心动魄的一天，我如愿地登机了。
看着繁华的香港机场，终于又回到了我们自己的地方。
至此，ACT 之旅圆满结束。
后记
尼泊尔——这个让我又爱又恨的国家，我每次旅行结束前总想着赶紧离开这个鬼地方。但经过一段时间，又重新想念这个地方，甚至还计划着想要回到这个地方。
爱他，因为他有丰富的地貌层次，800m 的平原、河谷，3000m 的森林，4000m 的灌木，8000m 的雪山，绝美的自然景观总要搭配丰富的人文特色，才能美得惊人心魂。
恨他，因为这个国家和这个国家的人民太不靠谱，尤其是小飞机，说停飞就停飞。这个以轻工业和 旅游 业支撑 GDP 的国家，人民的幸福指数居然是很高的。
爱好户外六年，走过梅里雨崩，转山冈仁波齐，徒步 EBC，K2BC 和 ACT，每次旅行都使我印象深刻。
因为户外，我跑步健身三年，从 150 斤的大胖变成 110 斤的小胖。从 体育 不及格到完赛半马，到徒步 EBC 和 K2BC。在户外经历过暴雪，失温，雷雨，落石，在山野间，前面无人，后面无人，一人在山间穿梭，彷佛天地一沙鸥。徒步，让我变得独立，让我在一次又一次的克服困难的同时，让我的意志又磨练出了一层茧，告诉自己，原来我真的还能继续扛。
人生怎么选择都是正确的，因为那是你应该走的路，但是人生怎么选择都是有遗憾的。有些生命是用来传宗接代的，有些生命是用来体验的，有些生命是用来感悟的。花些功夫使自己变得特别，不为改变世界，只为不被世界改变。
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