如何提升苹果6手机内存使用容量

通常有以下几个方法提升内存使用流量：

1，清空Safari缓存。经常使用 Safari 浏览网页时间久了会产生大量缓存数据，需要进入设置>Safari，然后点击“清除历史记录”和“清除Cookies和数据”。

2，关闭自动更新自动下载。想要更改自动升级应用的设置，需要进入设置>iTunes Store和App Store>自动下载的项目，然后全部关闭。

3，删除旧的无用照片和视频。删除不必要的文件是加速手机运行速度的主要方式之一。可以将它们备份到电脑或是iCloud，然后在手机当中删除。

4，删除占用大量空间的应用。可以在设置>通用>用量当中查看到每款应用的空间占用，然后将那些占用空间大但并不是必要的应用删除。,

5，删除旧的短信会话。大量的短信也是拖垮手机速度的原因之一，有时短信多了，打开信息应用时要卡一下等待一会才能进入。可以尝试删除手机当中那些无意义的垃圾短信。,

6，关闭后台不必要运行的应用。保留常用的即可。

7，能手动执行的操作就不要开启自动模式。需要进入设置>无线局域网>询问是否加入网络，然后将其关闭。

8，定期重启手机。关闭手机可以帮助iPhone6 Plus摆脱那些一直在占用系统资源的东西。

9，升级恢复系统。终极解决办法：刷机恢复系统，让系统恢复到刚出厂的状态。

可以，但是换内存风险比较大，具体方法为：

1 将手机拆开

2 全部螺丝卸下，主板拿出来

3 6主板相对比上一代5S的主板更薄了，像摔过挤压更容易损坏，不过为了把机身做薄就不得不牺牲PCB板的厚度，主板背面中间那一块白色芯片就是16G的闪存芯片了

4 升级内存呢就是把这块芯片替换掉就好了。

iPhone6，16G，内存不够用可以用无线多媒体串流器扩大内存。

无线多媒体串流器可以作为你iPhone的无线硬盘使用，这类设备非常便携，仅凭电池便可工作。虽然其本身并不具备存储能力，但你可以将自己的SD或microSD卡插入其中，或是利用它连接移动硬盘或U盘。

在同一Wi-Fi网络下，你便可以使用iPhone与之进行连接，然后访问存储介质当中的数据。此外，这类设备的一大优势是支持多台设备同时连接，这也让文件分享变得更加简单轻松。

　苹果公司1980年12月12日公开招股上市，2012年创下6235亿美元的市值记录，截至2014年6月，苹果公司已经连续三年成为全球市值最大公司。下面是我带来的关于iphone6可以扩展内存吗的内容，欢迎阅读!

　iphone6可以扩展内存吗：

　不可以。

　iphone6采用的固定式闪存、内存，闪存芯片/内存芯片焊接在主板上，不可以拓展存储空间/内存。

　iPhone 6是苹果公司(Apple)在2014年9月9日推出的一款手机，已于2014年9月19日正式上市。

　iPhone 6采用47英寸屏幕，分辨率为1334750像素，内置64位构架的苹果A8处理器，性能提升非常明显;同时还搭配全新的M8协处理器，专为健康应用所设计;采用后置800万像素镜头，前置120万像素 鞠昀摄影FaceTime HD 高清摄像头;并且加入Touch ID支持指纹识别，首次新增NFC功能;也是一款三网通手机，4G LTE连接速度可达150Mbps，支持多达20个LTE频段。

　2013年11月4日极特先进宣布与苹果签订多年蓝宝石材料供应合约。即将拥有/经营ASF熔矿炉以及相关设备、在苹果亚利桑那州厂生产蓝宝石材料，极特将自2015年起分五年陆续出货给苹果。

　2013年9月12日苹果已找到蓝宝石与玻璃的贴和(sapphire-on-glass)方式，可让组合好的蓝宝石玻璃屏幕厚度少于1毫米。

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　RDRA

　MIntel在推出：PC-100后，由于技术的发展，PC-100内存的800MB/s带宽已经不能满足需求，而PC-133的带宽提高并不大(1064MB/s)，同样不能满足日后的发展需求。Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus公司联合在PC市场推广Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)。Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一种内存规格，采用了新一代高速简单内存架构，基于一种RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，从而可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit总线，在一个时钟周期内，可以在上升沿和下降沿的同时传输数据，这样它的实际速度就为400MHz×2=800MHz，理论带宽为(16bit×2×400MHz/8)16GB/s，相当于PC-100的两倍。另外，Rambus也可以储存9bit字节，额外的一比特是属于保留比特，可能以后会作为：ECC(ErroI·Checking and Correction，错误检查修正)校验位。Rambus的时钟可以高达400MHz，而且仅使用了30条铜线连接内存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus内嵌式内存模块)，减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰，从而快速地提高内存的工作频率。不过在高频率下，其发出的热量肯定会增加，因此第一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。

　DDR3时代DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的18V降落到15V，性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。

　一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：

　18bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。

　2采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。

　3采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从18V降至15V，增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。部分厂商已经推出135V的低压版DDR3内存。

　DDR4时代

　内存厂商预计在2012年，DDR4时代将开启，起步频率降至12V，而频率提升至2133MHz，次年进一步将电压降至10V，频率则实现2667MHz。新一代的DDR4内存将会拥有两种规格。根据多位半导体业界相关人员的介绍，DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术)方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品。

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