随奥氏体的碳含量变化而变化，这种转变称为伪共析转变，其转变产物称为伪共析组织。
当奥氏体快冷到SG'线和SE'线以下的影线区时，则非共析成分的奥氏体不经过先共析转变而直接进行珠光体转变，这种转变称为伪共析转变。其转变产物珠光体又称为伪共析体。E'SG'线以下的阴影区域称为伪共析转变区。
电脉冲对亚共晶铁碳合金共析组织的影响
随着电流密度的升高，运动位错的数量有着显著地单调性，即随着电流密度的增大，运动位错的数量必然也随之增加。
由于渗碳体的强度大于奥氏体，当位错滑移到渗碳体附近时会被渗碳体阻碍。根据位错理论，位错的攀移要大大难于位错的滑移，所以位错的攀移速度远小于位错在渗碳体周围堆积的速度，因此在渗碳体周围会产生大量的位错堆积现象。
位错的堆积引起了高强度的应力集中，增加了渗碳体的界面能，增加界面能正比于围绕在渗碳体周围的位错数量。而根据法拉第电磁感应定律，当亚共晶铁碳合金经过ECP处理时会不可避免的产生脉冲磁场，脉冲磁场和脉冲电流的相互作用在试样中产生洛伦兹力。
洛伦兹力的作用同样使渗碳体的界面能增加。渗碳体是亚稳相，它的稳定性随着界面能的升高而降低。在位错塞积产生的应力集中和洛伦兹力的共同作用下，使渗碳体的界面能增加，促使渗碳体分解。
随着原子的扩散能力增加和相变势垒的减小，扩散激活能随之减小，使石墨的形核孕育期缩短。而渗碳体周围的位错塞积处增加的形核位置同时可容纳石墨生成时所伴随的体积膨胀，也避免了形核时因畸变能引起的大的势垒，并且充分利用已经存在的界面能，降低了石墨形核所需的相变驱动力。
同时，石墨在位错塞积处形核无需其它置换性原子扩散开去腾出空间，同样有利于石墨的形核。
区别：温度不同，共析转变是固态下发生的转变，没有液相参与；共晶转变参与转变的全部是液相；包晶转变参与转变的是固相和液相。
包晶反应peritecticreaction:在结晶过程先析出相进行到一定温度后新产生的固相大多包围在已有的旧固相周围生成。
在一定温度 下，由一定成分的液相同时结晶出两个成分和结构都不相同的新固相的转变过程称为共晶转变，即共晶反应
包晶相变、包晶转变,或者叫包晶反应都是一回事都是指一个液相和一个固相同时生成另一个固相如果要强调凝固这一过程,说包晶凝固当然也是可以的
共析反应 eutectoid reaction:固态转变之一。一个固相对另两个或两个以上的固相同时过饱和，两相或多相同时由过饱和相中析出的反应。 例如：共析钢冷却到727°C时，奥氏体会析出铁素体和渗碳体。
从教科书抄来，共参考。
包晶反应（Peritectic
reactions）：（水平线HJB）
其特徵是首先晶出之初晶固溶体与周围残留液体间发生反应，而生成第二种固溶体，将原来的初晶包起来。
包晶反应式：
L
(
053%C
)
＋δ
(009
%C)
→
γ
(017%C)
共晶反应（Eutectic
reactions）：（水平线ECF）
是由一种液体同时析出两种不同的固体。
共晶反应式：L
(43
%)
→
γ
(211％C)
＋
Fe3C
(
667%C)
共析反应（Eutectoid
reactions）：（水平线PSK）
是由一种固体同时析出两种不同的固体。
共析反应式：γ
(077％
C)
→
γ
(0218％C
)
＋
Fe3C
(
667%C)
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