是碳化硅(SiC)是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片,制作芯片的核心材料按照历史进程分为:第一代半导体材料(大部分为目前广泛使用的高纯度硅),第二代化合物半导体材料(砷化镓、磷化铟),第三代化合物半导体材料(碳化硅、氮化镓) 。碳化硅因其优越的物理性能:高禁带宽度(对应高击穿电场和高功率密度)、高电导率、高热导率,将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。
一、分散元素的用途
分散元素在国民经济建设的各领域中有着广泛的用途,特别在高科技领域中,如镉用来制作通讯电子器械上用的高性能电池,随着无绳电话的普及,对电池的需求量越来越多;高性能计算机的生产量日渐增长,所需的集成电路无镓不可;超导材料发展很快,对铊的需求量也越来越大;光纤和半导体材料必须有锗作材料;特种玻璃工业和医用上需大量的硒;钢铁工业和橡胶工业和代替氟利昂制冷设备上需要碲,如此等等表明,分散元素在电子、冶金、仪表、化工、医药等行业的发展中是不可替代的原材料。八种分散元素的主要用途简述如下。
镓:主要用在国防科学和高性能计算机的集成电路上,在美国用在这方面的镓占它总用量的51%。由于镓的氮化物可发出蓝色和紫色光,因此,它的另一用途是制作光电二极管(LED'S)、激光二极管、光电探测器和太阳能电池等的必要原材料,美国在这方面的用量占它总用量的44%,日本在这方面消耗的高纯镓每年有100多吨;砷化镓是无绳通讯器材的重要原材料;镓在激光照排印刷和光学仪器等方面也有很重要的用途。全球在镓方面消耗的资金,由1997年的19亿美元到2000年增加到95亿美元。每年平均增长率为38%。
锗:一直作为半导体的材料,但近年来它在高新技术领域的应用范围越来越广,全球高技术领域中锗用量的分配比例大致如下:纤维光学方面占44%;聚合催化剂占22%;红外光学方面占11%;电子光电及太阳能电池方面占17%;其他如荧光、冶金和化学疗法等占6%。在某些高频率和高耗能的电子应用器件上锗是比较安全可靠的,是其他材料很难替代的。
硒:硒在国民经济的很多领域中有着广泛的用途,主要应用方面有:①玻璃工业,用来制作褪色玻璃和钠钙硅玻璃,建筑上用的硒平板玻璃可以降低太阳辐射的能量;②管道用材料,如输水方面,过去一直用有铅的管道材料,这种材料含铅超过7%对饮水带来污染,为此现在都用有硒的黄铜材料代替铅的管道材料;③化工材料添加剂,镉硫硒化物的红色颜料稳定性能好,广泛应用于陶瓷、橡胶和涂料方面;④冶金方面,硒加入铅、铜和合金钢中可提高机械的切削性能;⑤电子仪器方面,感光接收器上需要高纯硒,主要是用来制作复印机、打印机的磁鼓(硒鼓);⑥饲料和食用硒,长期观察表明,食用硒无副作用,硒是预防癌症的有效物质,硒是配药的重要物质,但每人每天食用200~400μg硒对人体足够了,不能食用过量。
镉:镉主要用作电池制作方面,美国将69%(西方国家60%)的镉用来制作电池。这些电池的75%用于电话和无绳通讯电子器件上,25%用作应急照明能源上,如医院手术室应急灯和电话交换应急能源。由于镉的环境影响原因,部分Ni-Cd电池正被锂电池代替,锂电池已占据了日本市场的30%。尽管如此,Ni-Cd电池需求量还在扩大,各国都加大了对镉电池监管和回收力度。在美国其余31%的镉用途分配如下:颜料占13%,涂料和镀料占8%,塑料添加剂占7%,有色金属合金占2%,其他用途占1%。
铟:高纯度的铟、铟合金及其复合物主要用于液晶显示器(LCD'S)上,其他用于衣料制作(美国在这方面用量最多,占总用量的50%),焊接与合金,用于红外探测器上的半导体复合材料,在高性能晶体管和高效光电装置上也需要铟。
碲:工业上所需要的主要是商业级碲和碲的二氧化物。铁和钢中加入碲可增强其延展性能;光电仪器上的半导体材料,也可将碲加入到以硒为本底的感光接受器的合金中,可以增强光的传导速度;它也可作为橡胶的添加剂。目前美国碲的用量大致分配比例:钢铁工业的用量占50%,催化剂和化学制品占25%,非铁合金添加剂占10%,感光器和热电装置占8%,其他用途占7%。
铼:铼的主要产品包括高铼酸铵、高铼酸和铼的金属粉末。铼的主要用途是作为石油的改进催化剂,用铼生产高辛烷,高辛烷用于无铅汽油的生产;另一项用途是用于发动机的高温组件。这两项用途分别占需求总量的20%和60%。铼的其他用途还包括:在超级合金生产中,加入铼可提高镍基合金在高温下(>10000℃)的强度。铼还用于热电偶、温度控制器件、加热元件、离子化剂、质谱计、电子管和电子靶、电子接头、金属电镀涂层、真空管、坩埚、电磁铁和半导体材料的生产。这些方面的总消耗量大约占20%。美国近年来,每年消耗大约30t的铼。
铊:铊主要用于制作以铊为本底的超导材料,在这方面美国的用量最大;铊在心血管成像探测冠心病方面有重要应用前景;铊还应用于电子、合金、玻璃制造和制药方面。因为铊金属和铊的混合物(及化合物)是剧毒物质,必须严格控制,方能避免对人体和环境造成威胁。铊的主要生产国都制定了铊污染的防治标准,特别要加强水体的检测力度。
二、目前分散元素的主要生产途径
镓:大部分镓的生产主要是铝土矿加工过程中的副产品,其次是从炼锌的残渣中回收。很多铝土矿含镓达50×10-6,世界铝土矿中的镓资源估算有100万t。锌矿和其他有色金属矿中镓储量也较可观。目前哈萨克斯坦和俄罗斯是镓的最大生产国,其次是中国、匈牙利、日本和斯洛伐克。法国是精炼镓的最大生产国,其次是德国和日本,其原料供给者主要是澳大利亚。还有很少部分镓从废弃物和其他混合物的杂质中回收。
锗:锗主要伴生在锌矿石中,全世界有46个国家都在开采伴生锗的锌矿床,其中34个国家可以从中提炼锗,真正能精炼锗的只有9个国家。美国有三个大的精炼锗生产厂家,分布在纽约州、俄克拉何马州和宾夕法尼亚州,还有两个生产线分别在田纳西州和阿拉斯加州。煤中含锗也较高,但从燃煤烟尘中提炼锗的工艺还不完全成熟。很多电子和光学产品都有锗原料,从这些产品的废弃物中回收锗也是炼锗途径之一,全世界大约有25%的锗从废弃物中回收。
硒:硒主要是电解精炼铜时从阳极泥中回收,美国有两个精炼铜厂都在得克萨斯州。下面所列硒储量只是从铜矿中计算的,但在其他金属矿、煤和黑色岩系中也含有大量硒,煤中含硒普遍约为15×10-6,这种硒大约是铜矿中硒储量的80倍,这些矿产中的硒在未来一段时间内有望被开发出来。从废料中回收硒也是途径之一,1998年美国大约有45t硒是从废料中回收的。
镉:主要从冶炼硫化物锌矿石提取,其次是从废弃的镍-镉电池中回收,还有少量从合金冶炼电弧炉的烟尘中回收。日本是镉用量最大的消费者和精制镉金属的最大进口者。世界镉资源量大约6×106t,主要来自含镉03%的锌矿资源。美国中部有含锌的煤,其他国家石炭纪煤中也含有大量镉的伴生资源,目前这些资源还无法利用。
铟:大量铟是从铜、铅锌和锡石硫化物矿石综合回收,目前从闪锌矿等硫化物矿石中提取的最多。锌矿石一般含铟在1×10-6~100×10-6范围,从中提取铟耗资较高。锡矿石中伴生的铟加工处理又有一定难度,因此从含铟的废弃金属提取铟也是重要途径之一。从节省资金角度,美国自己很少直接从矿石中提炼铟,绝大多数铟靠进口,1994~1997年来自加拿大的铟占47%,俄罗斯的占15%,中国的占11%,法国的占8%,其他国家的占19%。
碲:工业上需要的商业级碲和碲的二氧化物基本上从炼铜的阳极泥中提取,少部分从炼铅厂的撇去的浮沫中提取。自中国四川发现世界上独一无二的独立碲矿床以来,对碲矿石的冶炼问题已提到日程,其提取工艺有望解决。
铼:主要从斑岩型铜(钼)矿和铂族元素矿床的矿石中提取,1929年首次从辉钼矿中得到第一克铼,铼的工业生产由Frei在1930年首次实现。铼常常在钼的硫化物——辉钼矿中呈类质同象出现,辉钼矿是迄今最重要的铼的载体矿物,因此含辉钼矿的矿石是提取铼的重要原料。少量的铼也从含钼铼和钨铼的废料中回收。
铊:目前主要从铜和铅锌矿石冶炼过程的烟尘和残渣中提取。因为铊是剧毒物质,直到近十几年来,美国才有较成熟的含铊矿石的开采技术和冶炼技术。至于铊的独立矿床,如砷铊矿、汞铊矿等,成熟的铊冶炼工艺还有待开发。
三、目前世界分散元素的储量和产量
根据美国地质调查所(USGeological Survey,Mineral Commodity Summaries)1999年和2002年统计资料,世界分散元素的储量和产量列于表2-1中。
表2-1 世界分散元素的储量和产量
表2-1的数字是根据目前能够开发的矿床估算出来的,不包括当前暂不能冶炼的矿床类型,如煤和黑色岩系中的硒,尽管它的储藏量是铜矿的80倍;独立碲矿床和部分碲金矿床中的碲,独立碲矿床是近年来中国发现的,其储量数字国外并未掌握。近十几年来金矿勘查发展很快,对碲金类型的金矿,人们着眼点是金,往往忽略其中碲的评价,这种类型矿床中的碲很难弄清楚;再如独立铊矿床,也是近年来中国发现的,因未经详细工业勘探,不可能有准确工业储量数目。
每种分散元素的主要生产国列于表2-2。
表2-2 世界分散元素的主要生产国
四、近几年来各种分散元素的价格情况
根据美国地质调查所1999年和2002年提供的资料,各种分散元素的近几年的价格列于表2-3中。
表2-3 各种分散元素的价格
图2-1 分散元素的价格走势
根据表2-1、表2-3和图2-1分散元素的产量和价格近六年的变化趋势,镉和铊变化不大,镓、锗、硒、铟、碲等五种元素的产量有增加的趋势,铼、镓、硒、碲的价格也有增加的趋势,说明近几年来无铅石油、计算机、特种玻璃、管道用材、印刷业和特种钢材等的市场需求量与日俱增,这些分散元素出现供不应求的局面。中国的这些矿种又有自己的特色,发现了一些独立矿床,特别是中国的铝土矿资源丰富,铝土矿中镓含量普遍较高,只要加强冶炼回收能力,中国的分散元素在国际市场上会大有作为。
(1)热敏性 半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高,半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗(Ge),温度每升高10度,其电阻率就会减少到原来的一半。
(2)光电特性 很多半导体材料对光十分敏感,无光照时,不易导电;受到光照时,就变的容易导电了。例如,常用的硫化镉半导体光敏电阻,在无光照时电阻高达几十兆欧,受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。
近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管,它通过电流时能够发光,把电能直接转成光能。目前已制作出发黄,绿,红,蓝几色的发光二极管,以及发出不可见光红外线的发光二极管。
另一种常见的光电转换器件是硅光电池,它可以把光能直接转换成电能,是一种方便的而清洁的能源。
(3)搀杂特性 纯净的半导体材料电阻率很高,但掺入极微量的“杂质”元素后,其导电能力会发生极为显著的变化。例如,纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米,若掺入百万分之一的硼元素,电阻率就会减小到04欧姆/厘米。因此,人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素,精确控制它的导电能力,用以制作各种各样的半导体器件
半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上,半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同,更重要的是半导体具有独特的性能(特性)。
1. 在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质,半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体最显著、最突出的特性。例如,晶体管就是利用这种特性制成的。
2. 当环境温度升高一些时,半导体的导电能力就显著地增加;当环境温度下降一些时,半导体的导电能力就显著地下降。这种特性称为“热敏”,热敏电阻就是利用半导体的这种特性制成的。
3. 当有光线照射在某些半导体时,这些半导体就像导体一样,导电能力很强;当没有光线照射时,这些半导体就像绝缘体一样不导电,这种特性称为“光敏”。例如,用作自动化控制用的“光电二极管”、“光电三极管”和光敏电阻等,就是利用半导体的光敏特性制成的。
由此可见,温度和光照对晶体管的影响很大。因此,晶体管不能放在高温和强烈的光照环境中。在晶体管表面涂上一层黑漆也是为了防止光照对它的影响。最后,明确一个基本概验:所谓半导体材料,是一种晶体结构的材料,故“半导体”又叫“晶体”。
P性半导体和N型半导体----前面讲过,在纯净的半导体中加入一定类型的微量杂质,能使半导体的导电能力成百万倍的增加。加入了杂质的半导体可以分为两种类型:一种杂质加到半导体中去后,在半导体中会产生大量的带负电荷的自由电子,这种半导体叫做“N型半导体”(也叫“电子型半导体”);另一种杂质加到半导体中后,会产生大量带正电荷的“空穴”,这种半导体叫“P型半导体”(也叫“空穴型半导体”)。例如,在纯净的半导体锗中,加入微量的杂质锑,就能形成N型半导体。同样,如果在纯净的锗中,加入微量的杂质铟,就形成P型半导体。
一个PN结构成晶体二极管----设法把P型半导体(有大量的带正电荷的空穴)和N型半导体(有大量的带负电荷的自由电子)结合在一起,见图1所示。
图1
在P型半导体的N型半导体相结合的地方,就会形成一个特殊的薄层,这个特殊的薄层就叫“PN结”。晶体二极管实际上就是由一个PN结构成的(见图1)。
例如,收音机中应用的晶体二极管,其触丝(即触针)部分相当于P型半导体,N型锗片就是N型半导体,他们之间的接触面就是PN结。P端(或P端引出线)叫晶体二极管的正端(也称正极)。N端(或N端引出线)叫晶体二极管的负端(也称负极)。
如果像图2那样,把正端连接电池的正极,把负端接电池的负极,这是PN结的电阻值就小到只有几百欧姆了。因此,通过PN结的电流(I=U/R)就很大。这样的连接方法(图2a)叫“正向连接”。正向连接时,晶体管二极管(或PN结)两端承受的电压叫“正向电压”;处在正向电压下,二极管(或PN结)的电阻叫“正向电阻”,在正向电压下,通过二极管(或PN结)的电流叫“正向电流”。很明显,因为晶体二极管的正向电阻很小(几百欧姆),在一定正向电压下,正向电流(I=U/R)就会很大----这表明在正向电压下,二极管(或PN结)具有像导体一样的导电本领。
图2a 图2b
反过来,如果把P端接到电池的负极,N端接到电池的正极(见图2b)。这时PN结的电阻很大(大到几百千殴),电流(I=U/R)几乎不能通过二极管,或者说通过的电流很微弱。这样的连接方法叫“反向连接”。反向连接时,晶体管二极管(或PN结)两端承受的电压叫“反向电压”;处在反向电压下,二极管(或PN结)的电阻叫“反向电阻”,在反向电压下,通过二极管(或PN结)的电流叫“反向电流”。显然,因为晶体二极管的正向电阻很大(几百千欧姆),在一定的反向电压下,正向电流(I=U/R)就会很小,甚至可以忽略不计,----这表明在一定的反向电压下,二极管(或PN结)几乎不导电。
上叙实验说明这样一个结论:晶体二极管(或PN结)具有单向导电特性。
晶体二极管用字母“D”代表,在电路中常用图3的符号表示,即表示电流(正电荷)只能顺着箭头方向流动,而不能逆着箭头方向流动。图3是常用的晶体二极管的外形及符号。
图3
利用二极管的单向导电性可以用来整流(将交流电变成直流电)和检波(从高频或中频电信号取出音频信号)以及变频(如把高频变成固定的中频465千周)等。
PN结的极间电容----PN结的P型和N型两快半导体之间构成一个电容量很小的电容,叫做“极间电容”(如图4所示)。由于电容抗随频率的增高而减小。所以,PN结工作于高频时,高频信号容易被极间电容或反馈而影响PN结的工作。但在直流或低频下工作时,极间电容对直流和低频的阻抗很大,故一般不会影响PN结的工作性能。PN结的面积越大,极间电容量越大,影响也约大,这就是面接触型二极管(如整流二极管)和低频三极管不能用于高频工作的原因
金属卤素灯又叫高强紫外卤素灯,属金属卤化物灯的一种, 主光谱有效范围在350nm-450nm之间。 主要用于干膜、湿膜、绿色防焊剂的曝光,具有曝光时间短、强度高、曝光质量好等特点,该灯的最大特点是紫外强度高,在网印和固化带有颜色中,特别是对于涂层较厚的产品,及白色和黑色的干燥,具有突出的效果。 卤素灯在使用过程中需配套相应的镇流器和触发器。
基本介绍 中文名 :金属卤素灯 外文名 :Metal halide lamp 别称 :高强紫外卤素灯 配件 :镇流器和触发器 简介,适用,分类,优点,工作原理,功效特点,工艺,卤钨循环,实际套用, 简介 金属卤素灯(金属卤化物灯)通常又叫金卤灯,由高压水银灯发展而来的紫外线灯,由高纯度石英管材制造而成,石英管材内充入了含有汞、氩、镓的碘化物、铁的碘化物以及一些稀有金属卤化物。主要分为金卤曝光灯和晒版灯,金卤曝光灯属于高强气体放电灯,光谱在350-450nm之间。一般的水银UV灯的最高波峰为365nm,并不大适合于一些需要380nm、403nm新油墨及特殊套用工艺。这些新的最高波峰(380hm、403nm及407nm)可以由金属卤素灯产生 。卤素灯及在含有水银及氩的水银UV灯的基础上添加铁掺合、钾掺合或其它稀土金属原素掺合。铁掺合卤素灯特别增强了380hm作为最高波峰。钾掺合卤素灯特别增强了403nm及417nm的波峰。 金属卤素灯 适用 金属卤素灯主要适用于UV油墨、UV油漆的固化,干膜、湿膜,绿色阻焊及板曝光。在网印和固化中带颜色,尤其是涂层较厚的产品和白色、黑色的干燥有突出的效果。 碘化铁是一种能提供宽光谱紫外辐射的卤化物,并且能够增强灯在380nm区域的光谱输出,添加了碘化铁的金卤灯用在光聚合物和日光胶片曝光系统中有非常好的效果。金属卤素灯的光谱能量与某些质材的吸收光谱十分吻合,能起十分快速的硬化反应,能广泛地套用于菲林、丝网、PCB、重氮薄膜及板曝光; 金属卤素灯还能套用于不同的印刷和表面涂层工业金属卤素灯乃在含有水银及氩的水银UV灯的基础上添加铁掺合(Iron Iodide)、钾掺合(Gallium Iodide)或其它稀土金属原素掺合(Rare Earth Metal Iodide) 分类 最常见的金属卤素灯是铁掺合(Iron Iodide)和镓掺合(Gallium Iodide)铁掺合卤素灯特别增强了380nm作为最高波峰,对phoolymer及daylight film的曝光有十分理想的效果;至于镓掺合卤素灯,特别增强了403nm及417nm的波峰,其最高的417nm波峰对于Diazo 材料的曝光有十分显著及良好的作用 优点 1使用寿命长 金属卤素灯 2曝光时间短 3快速点灯 4照度强 5稳定的操作性能。 工作原理 金属卤素灯是为改善光色而在高压汞灯的基础上,发展起来的一种新型光源,不仅光色好,而且光效也高,通常在高压汞灯内添加某些金属卤化物,靠金属卤化物的循环作用,向电弧不断的提供相应的金属蒸汽,金属原子在电弧中受激发而辐射该金属的特征光谱线适当的选择金属卤化物并控制他们的比例可以制成多种光色不同的金属卤化灯,其灯光含有紫外线所以要求安装要有标准的,卤素灯就是碘钨灯,碘钨灯的灯管中装有灯丝碘钨灯的灯管里面有碘,碘和灯丝的钨起化学变化以后,可以使灯丝的温度升高,所以发出的光较强。 金属卤素灯 金属卤化灯对电压要求比较高,还必须配相应规格的镇流器否则起动困难寿命缩短,金属卤化灯在启动的时间很长,不适合要求迅速点燃的场所,而碘钨灯就没有这些要求的。主要适用于UV油墨、UV油漆的固化,干膜、湿膜,绿色阻焊的曝光。在网印和固化中带颜色,特别是涂层较厚的产品和白色、黑色的干燥有突出的效果。 功效特点 卤素灯具有体积小、发光效率高(达17-33 lm/W)、色温稳定(可选取2500K-3500K)、光衰小(5%以下)、寿命长(可达3000小时至5000小时)等特点,这些特点显示出它有取代普通白炽灯的趋势。但石英玻璃昂贵,卤素灯的价格当然要比白炽灯高。同白炽灯一样,卤钨灯按用途、结构和外形也可分成许多类别。 金属卤素灯 金属卤素灯泡具有从35瓦到2000瓦的大,中,小瓦特数。大多数灯泡生产商通常供应从175瓦到400瓦的中型灯泡,如,175瓦,200瓦,225瓦,250瓦,300瓦,320瓦,350瓦,360瓦,400瓦。 金属卤素灯泡具有高强度放电能力,生命力强,功效高等特点,并且是一种很好的色彩表演道具。一般来说,它节省能源,比白炽灯放热少并且易受光学控制。因此,这些特性对零售网点地建立具有很大吸引力,运作成本低,良好地照明质量也是吸引之一。由于它的使用寿命较长,卤素灯泡通常适用于高天花板的建筑物和需要长时间连续照明的场所。如,长时间或短时间连续工作的工业用地,仓库,街道,体育场和各类运动照明。和其他交流电灯泡一样,金属卤素灯也需要气囊。 工艺 由高压水银灯发展而来,钨电极通过钼带密封后形成电路,并以金属灯头或者带引线的陶瓷灯头作为末端,碘化镓在金卤灯所产生的光谱中有引入403nm和417nm谱线的功效,这一点显著的用于二氮化合物的加工。 金属卤素灯 高压汞灯虽然光效高,但光色不好,显色性差,为了增加红色光谱成分,人们在高压汞灯内加入各种各样的金属卤化物,根据添加的金属卤素的种类和比例,可以制造出上万种不同光色的灯具来。 钠铊铟灯适合水族箱使用的金属卤素灯为磺化钠——磺化铊————磺化铟灯,简称钠铊铟灯,这种灯光效高(75-80流明/瓦)、光色好(色温为6000K)显色性好(显色指数为60-65,高压汞灯的显色指数只有20--30,寿命长,是首选灯具之一。 卤钨循环 镝灯是金属卤素灯的一种,所加入的金属卤化物为稀土金属镝,光色为6000K,显色指数为85--90,光效为80流明/瓦,各种技术指标均稍高于钠铊铟灯,是首选取灯具之一。卤化锡灯具有与太阳光相近似的光色,色温为5000K,显色指数为92-94(太阳光为100),光效高(50-60流明/瓦)。充有溴碘等卤族元素或卤化物的钨灯称为卤素灯或卤钨灯。它是新一代白炽灯。 金属卤素灯 为提高白炽灯的发光效率,必须提高钨丝的温度,但相应会造成钨的蒸发,使玻壳发黑。在白炽灯中充入卤族元素或卤化物,利用卤钨循环的原理可以消除白炽灯的玻壳发黑现象。这就是卤素灯的来由。但为确保卤钨循环的正常进行,必须大大缩小玻壳尺寸,以提高玻壳温度(一般要求碘钨灯的玻壳温度为250-600℃,溴钨灯的玻壳温度为200-1100℃),使灯内卤化钨处于气态。因此,卤素灯的玻壳必须使用耐高温和机械强度高的石英玻璃。其结构有双端直管形、单端圆柱形和反射形。由于使用石英玻璃作玻壳,卤素灯又常称石英灯。其中反射形卤素灯因带有反射杯,又常称杯灯。卤钨灯功率有5W、10W、15W、20W、25W、30W、35W、40W、45W、50W、60W、70W、100W、150W、200W和250W等多种。工作电压有6V、12V、24V、28V、110V和220V等多种。灯头有螺口式(E10、E11、E14等)、插入式(GU53、GX53、GY635、GZ4和G8等)和直接引出式。其中杯灯还有带前罩与不带前罩之分。杯口直径有25mm(MR8),35mm(MR11)和50 mm(MR16)等几种。反射角有8°、10°、12°、20°、24°、30°、36°、40°和60°等多种。 由于卤素灯中钨的蒸发受到有效的抑制,加之卤钨循环消除了玻壳发黑,卤素灯灯丝的温度就可大大提高(高达3000℃),使卤素灯的发光效率远比普通白炽灯高。例如,白炽灯需要消耗75W电能才能达到960流明的光通量,而卤素灯仅需50W。卤素灯尤其吸引人的地方是它的体积小巧玲珑,品种规格多种多样,尤其杯灯可把光线集中反射,相对于散射型光源而言,消耗同样电功率,可获得强得多的照度,因此,人们觉得卤素灯“特别明亮”,能使物体的表面色泽更绚丽,光彩更夺目,甚至觉得有迷人的闪烁效果。杯灯的反射角度有从窄到宽多种角度可供选择(越窄越觉明亮),也给专业灯光设计提供很大的创意空间。 实际套用 1879年,爱迪生发明第一盏白炽灯(碳丝白炽灯),开始了人类第一次照明光源技术革命。白炽灯使用寿命短,光效低,但显色度高。第二代照明光源是卤素灯,所发出的光强度远远高出白炽灯,而能耗约降低三分之一。金卤灯因灯泡中填充了金属卤化物而得名,基本构造与发光原理大致与萤光灯管相似,不同之处在于弧光放电点灯,产生高热,金属卤化物升华成为蒸气,直接发出可见光,节能80%至90%,属第三代照明光源。金卤灯是继白炽灯、卤素灯之后当今世界崛起的第三代绿色照明光源,以光效高、显色性好、使用寿命长等优势,不仅成为高档轿车、背投电视等光源的首选,还可广泛套用于军事、探险、水下作业、野外搜救等领域。与普通白炽灯相比,金卤灯节能效果惊人,市场空间巨大。金卤灯在欧美已开发国家发展势头迅猛,已有近40%的普及率。但我国80亿支灯泡产量中,金卤灯比例不到2%。由于功率越小,技术要求越高,目前国内50W以下的金卤灯生产尚属空白。 卤素灯就比一般的白炽灯要长很多。卤素灯的外形一般都是一个细小的石英玻璃管,和白炽灯相比,其特殊性就在于钨丝可以“自我再生”。实际上,在这种灯的灯丝和玻璃外壳中充有一些卤族元素,如碘和溴。当灯丝发热时,钨原子被蒸发向玻璃管壁方向移动。在它们接近玻璃管时,钨蒸气被“冷却”到大约800℃并和卤素原子结合在一起,形成卤化钨(碘化钨、溴化钨)。卤化钨向玻璃管中央移动,又落到被腐蚀的灯丝上。因为卤化钨很不稳定,遇热后就会分解成卤素蒸气和钨,这样钨又在灯丝上沉积下来,弥补了被蒸发的部分。如此循环,灯丝的使用寿命就会延长很多。所以,卤素灯的灯丝就可以做的相对较小,灯体也很小巧。卤素灯一般用在需要光线集中照射的地方,比如用于写字台或居室局部的照明。
金(gold),通常称为黄金,是一种人类开发利用历史悠久的贵金属矿产资源。
金,颜色鲜艳,光彩夺目;其硬度低,具有良好的延展性、导热性、导电性及化学稳定性等优异性能,素以“金属之王”而著称,很早被人们开采和利用。人类开发利用黄金的历史至今已有5000多年(RW博伊尔,1979)。我国利用的历史,可以上溯到4500年前后的虞舜时期(蔡长金,1994)。
RW博伊尔(1979)将人类历史上对黄金的用途划分为3个时期;公元前1000年前为装饰与装潢时期;1916年以前为货币时期;1950年以后为工业利用时期(栾世伟等,1987)。RW博伊尔的黄金用途分期只能说明黄金的每一类应用领域大致的起始时间,表明黄金用途在历史上有一定的演化过程,其应用领域是不断扩大的。
在金的用途中,目前最重要的仍然是它的货币职能,依然起着世界货币的作用,黄金储备的多少是衡量一个国家综合国力的重要标志。
随着现代科学技术的飞速发展,金的用途日益扩大,需求量日益增多。除人们熟知的应用历史最久的饰品金以外,在电子、电气和国防尖端等工业中,金及其合金可用来作为喷漆发动机、火箭、核反应堆、超音速飞机和各种工业装备零件的焊接材料;金能极有效地反射热和光,可以做向宇宙空间发射火箭和其他仪器的表面镀层;在电子工业中,用高纯度的金制造半导体的极细小电极等;用金与锗、铟、铪、硅、锡和硒制成的合金可制造接触器、二极管、晶体管和整流器等。此外,近年来还用于治疗风湿性关节炎,用金箔处理神经受损的烧伤等。
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