IB和ALEVEL的区别 真的仅申请国家不同这点

IB和ALEVEL的区别从年龄，课程，培养重点评分的这四个方面来看

一，从年龄看区别

IB课程为全球学生开设从幼儿园到大学预科的课程，为3-19岁的学生提供智力，情感，个人发展，社会技能等方面的教育。

A-Level课程有年龄的限制，即超过18周岁不能入读A-Level课程。

二，从课程看区别

IB课程分为最具挑战性的高等级课程（HL）和稍难的（SL）。IB要求学生至少选六门课+Theory of Knowledge，这六门课中至少有三门是HL。除了对课程有要求，还要求学生在两年内完成150个小时的课余活动。

A-Level课程阶段一般要求每个学生选三门课，优秀的学生可以选四门课或更多，最少的可以只选两门课。

三，从培养重点看区别

IB课程重视的不仅仅是成绩，还有学生的综合素质。想要入学学习IB是要经过考试的，此外学生还要提供各方面的经历和活动。

A-Leve课程重视的是成绩。

扩展资料:

A-Level英国高中课程，是英国全民课程体系，是英国普通中等教育证书考试高级水平课程，也是英国学生的大学入学考试课程。

A-Level课程证书被几乎所有英语授课的大学作为招收新生的入学标准。 在中国开设A-Level课程旨在为中国学生提供进入国外大学的有效途径。

具体目标为：培养在国内初高中成绩优秀的学生进入世界顶尖大学；培养在国内初高中成绩中等的学生进入世界一流大学；培养在国内初高中成绩一般的学生考取适合自己的大学。

IBO是国际文凭组织,被称为“成熟的国际化的素质教育”， 总部设在瑞士日内瓦，课程与考试中心在英国卡迪夫，在世界上一百多个国家和地区拥有千余所成员学校。

国际文凭组织汲取了世界许多国家的教改精华，推行师生的创造性理念，培养IB学生具有多元文化和多学科知识，为培养21世纪的通才进行着不懈的努力。

参考资料：

——IB课程

International Baccalaureate（简称IB）课程，是由瑞士日内瓦IB总部为全世界优秀中学生统一设计的两年制大学先修课程。目前有55个国家和500多所学校同步教授IB课程，学生在IB体系中修读相同的教材，学生毕业时参加全球统一考试，试卷的命题及批阅均由IB总部直接统筹规划，全世界的IB学生学术水平因此得以统一，毕业文凭亦被公认为全球最高水平，著名学府如牛津、剑桥、耶鲁、普林斯顿及哈佛等均给予毕业生诸多入学优惠。

课程介绍

选读两年IB课程的学生（国外从11年级开始，相当于国内的高一或高二年级），在IBO统一设计的六大课程系列中选修三门主科和三门副科：

语言A（学生母语）：英文，中文，日文，印尼文，韩文，法文等

语言B（第二语言）：英文，中文，日文，印尼文，法文等

社会科学：经济，历史，地理等

自然科学：物理，化学，生物学，环境科学等

数学（高，中，初级三个等级）

电脑，艺术，第三语言，第二社会科学，第二自然科学课程等

世界各国（地区）对IB文凭的承认

澳洲全国各州所有大学和专业学院都承认IB为一个优良的入学资格。由于实质上IB的学术水平比本土中学课程为高，各院校都非常欢迎IB学生申请入学，有些院校甚至在学生尚未毕业前便给予优先录取。也有些院校则减免IB学生在大学一年级里所需修读的部分科目。IB课程在各大专院校都受到极为高度的评价。

美国及加拿大数以千计的大学都视IB文凭为优良的入学资历。著名学府如佛、耶鲁及普林斯顿等一级长春藤系列的大学甚至容许成绩优异的IB学生（三科主修科目均达到6或7分者）直接进校修读大学二年级课程，无需修读大一课程。此外，大部分大学都给个别科目成绩优良的学生予以学分减免，从而缩短了学生大学修业时间和费用。

英国的情况与美加地区差不多，所有大学都接受IB文凭。牛津、剑桥等世界一流大学也都很欢迎IB学生申请入学。伦敦大学附设医学院的最低孙取分仅需32分，高达百分之四十的IB 考生放榜成绩达到32分以上。故考生若无法达到澳洲医学院所要求的36分时，可转而申请分数较低的英国各名校，成为医学院的学生。

香港每所大学均给予IB毕业生相等于香港中七学生的待遇，认为IB的水平和香港预料相等，学生可以直接以IB文凭申请入学。

IB是一个极具水平的世界通用预科文凭，拿着IB Diploma 的学生无论在世界任何地方升学进修，都是无往不利的。

IB的课程体系

所有IB文凭项目学生必须在规定的六个学科组中每组选一门课程进行学习，其中至少三门是高等级。每门分数的最高分数为7分，加上拓展论文与知识论文的3分奖励分数，满分为45分。这六个学科组是：

第一组：语言A1与世界文学

第二组：语言B（母语以外的现代语）

第三组：个人与社会学（历史、地理、经济学、哲学、心理学等）

第四组：实验科学（物理、化学、生物、设计、环境系统等）

第五组：数学（数学高等级、高等数学标准等级、数学研究、数学法）

第六组：艺术与选修（美术设计、音乐、戏剧艺术等，或第三种现代语，或 从第三组、第四组中再选一科，或高等数学标准等级）

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可100GHz以上。

指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。

广义上，只要是使用微细加工手段制造出来的半导体片子，都可以叫做芯片，里面并不一定有电路。比如半导体光源芯片；比如机械芯片，如MEMS陀螺仪；或者生物芯片如DNA芯片。在通讯与信息技术中，当把范围局限到硅集成电路时，芯片和集成电路的交集就是在“硅晶片上的电路”上。芯片组，则是一系列相互关联的芯片组合，它们相互依赖，组合在一起能发挥更大的作用，比如计算机里面的处理器和南北桥芯片组，手机里面的射频、基带和电源管理芯片组。

以下这篇文章和你一起学习，《芯片里面的几千万的晶体管是怎么装进去的？》，来自网摘。

要想造个芯片, 首先, 你得画出来一个长这样的玩意儿给Foundry (外包的晶圆制造公司)

　　(此处担心有版权问题… 毕竟我也是拿别人钱干活的苦逼phd… 就不放全电路图了… 大家看看就好， 望理解！）

　　再放大

　　我们终于看到一个门电路啦! 这是一个NAND Gate(与非门), 大概是这样:

　　A, B 是输入, Y是输出

　　其中蓝色的是金属1层, 绿色是金属2层, 紫色是金属3层, 粉色是金属4层

　　那晶体管(更正, 题主的"晶体管" 自199X年以后已经主要是 MOSFET, 即场效应管了 ) 呢

　　仔细看图, 看到里面那些白色的点吗 那是衬底, 还有一些绿色的边框 那些是Active Layer (也即掺杂层)

　　然后Foundry是怎么做的呢 大体上分为以下几步:

　　首先搞到一块圆圆的硅晶圆, (就是一大块晶体硅, 打磨的很光滑, 一般是圆的)

　　按照生产步骤排列 但是步骤总结单独写出

　　1、湿洗(用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)

　　2、光刻 (用紫外线透过蒙版照射硅晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案 注意, 此时还没有加入杂质, 依然是一个硅晶圆 )

　　3、 离子注入(在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质, 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管)

　　41、干蚀刻 (之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的,而是为了离子注入而蚀刻的 现在就要用等离子体把他们洗掉, 或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构, 这一步进行蚀刻)

　　42、湿蚀刻(进一步洗掉, 但是用的是试剂, 所以叫湿蚀刻)--- 以上步骤完成后, 场效应管就已经被做出来啦~ 但是以上步骤一般都不止做一次, 很可能需要反反复复的做, 以达到要求 ---

　　5、等离子冲洗(用较弱的等离子束轰击整个芯片)

　　6、热处理, 其中又分为:

　　61、快速热退火 (就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上, 然后慢慢地冷却下来, 为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化)

　　62、退火

　　63、热氧化 (制造出二氧化硅, 也即场效应管的栅极(gate) )

　　7、化学气相淀积(CVD), 进一步精细处理表面的各种物质

　　8、物理气相淀积 (PVD),类似, 而且可以给敏感部件加coating

　　9、分子束外延 (MBE) 如果需要长单晶的话就需要这个

　　10、电镀处理

　　11、化学/机械 表面处理然后芯片就差不多了, 接下来还要:

　　12、晶圆测试

　　13、晶圆打磨就可以出厂封装了我们来一步步看:

　　就可以出厂封装了我们来一步步看:

　　1、上面是氧化层, 下面是衬底(硅) -- 湿洗

　　2、一般来说, 先对整个衬底注入少量(10^10 ~ 10^13 / cm^3) 的P型物质(最外层少一个电子), 作为衬底 -- 离子注入

　　3、先加入Photo-resist, 保护住不想被蚀刻的地方 -- 光刻

　　4、上掩膜! (就是那个标注Cr的地方 中间空的表示没有遮盖, 黑的表示遮住了) -- 光刻

　　5、紫外线照上去 下面被照得那一块就被反应了 -- 光刻

　　6、撤去掩膜 -- 光刻

　　7、把暴露出来的氧化层洗掉, 露出硅层(就可以注入离子了) -- 光刻

　　8、把保护层撤去 这样就得到了一个准备注入的硅片 这一步会反复在硅片上进行(几十次甚至上百次) -- 光刻

　　9、然后光刻完毕后, 往里面狠狠地插入一块少量(10^14 ~ 10^16 /cm^3) 注入的N型物质就做成了一个N-well (N-井) -- 离子注入

　　10、用干蚀刻把需要P-well的地方也蚀刻出来 也可以再次使用光刻刻出来 -- 干蚀刻

　　11、上图将P-型半导体上部再次氧化出一层薄薄的二氧化硅 -- 热处理

　　12、用分子束外延处理长出的一层多晶硅， 该层可导电 -- 分子束外延

　　13、进一步的蚀刻, 做出精细的结构 (在退火以及部分CVD) -- 重复3-8光刻 + 湿蚀刻13 进一步的蚀刻, 做出精细的结构 (在退火以及部分CVD) -- 重复3-8光刻 + 湿蚀刻

　　14、再次狠狠地插入大量(10^18 ~ 10^20 / cm^3) 注入的P/N型物质, 此时注意MOSFET已经基本成型 -- 离子注入

　　15、用气相积淀 形成的氮化物层 -- 化学气相积淀

　　16、将氮化物蚀刻出沟道 -- 光刻 + 湿蚀刻

　　17、物理气相积淀长出 金属层 -- 物理气相积淀

　　18、将多余金属层蚀刻 光刻 + 湿蚀刻重复 17-18 长出每个金属层哦对了 最开始那个芯片, 大小大约是15mm x 08mm

　　啊~~ 找到一本关于光刻的书, 更新一下, 之前的回答有谬误

　　书名: << IC Fabrication Technology >> By BOSE

　　细说一下光刻 题主问了: 小于头发丝直径的操作会很困难, 所以光刻(比如说100nm)是怎么做的呢

　　比如说我们要做一个100nm的门电路(90nm technology), 那么实际上是这样的:　

　　这层掩膜是第一层, 大概是10倍左右的Die Size有两种方法制作: Emulsion Mask 和 Metal MaskEmulsion Mask:　　

　　这货分辨率可以达到 2000line / mm (其实挺差劲的 所以sub-micron ,也即um级别以下的 VLSI不用 )这货分辨率可以达到 2000line / mm (其实挺差劲的 所以sub-micron ,也即um级别以下的 VLSI不用 )制作方法: 首先: 需要在Rubylith (不会翻译) 上面刻出一个比想要的掩膜大个20倍的形状 (大概是真正制作尺寸的200倍), 这个形状就可以用激光什么的刻出来, 只需要微米级别的刻度

　　然后:　　

　　给!它!照!相! , 相片就是Emulsion Mask! 给!它!照!相! , 相片就是Emulsion Mask! 如果要拍的"照片"太大, 也有分区域照的方法 Metal Mask:

　　制作过程: 1、先做一个Emulsion Mask, 然后用Emulsion Mask以及我之前提到的17-18步做Metal Mask! 瞬间有种Recursion的感觉有木有!!!

　　2、Electron beam:

　　大概长这样

　　制作的时候移动的是底下那层 电子束不移动

　　就像打印机一样把底下打一遍

　　好处是精度特别高, 目前大多数高精度的(<100nm技术)都用这个掩膜 坏处是太慢

　　做好掩膜后:

　　Feature Size = klamda / NA

　　k一般是04, 跟制作过程有关; lamda是所用光的波长; NA是从芯片看上去, 放大镜的倍率

　　以目前的技术水平, 这个公式已经变了, 因为随着Feature Size减小, 透镜的厚度也是一个问题了

　　Feature Size = k lamda / NA^2

　　恩 所以其实掩膜可以做的比芯片大一些 至于具体制作方法, 一般是用高精度计算机探针 + 激光直接刻板 Photomask(掩膜) 的材料选择一般也比硅晶片更加灵活, 可以采用很容易被激光汽化的材料进行制作

　　这个光刻的方法绝壁是个黑科技一般的点! 直接把Lamda缩小了一个量级, With no extra cost! 你们说吼不吼啊!

　　Food for Thought: Wikipedia上面关于掩膜的版面给出了这样一幅图, 假设用这样的掩膜最后做出来会是什么形状呢

　　于是还没有人理Food for thought

　　附图的步骤在每幅图的下面标注, 一共18步

　　最终成型大概长这样:

　　其中, 步骤1-15 属于 前端处理 (FEOL), 也即如何做出场效应管

　　步骤16-18 (加上许许多多的重复) 属于后端处理 (BEOL) , 后端处理主要是用来布线 最开始那个大芯片里面能看到的基本都是布线! 一般一个高度集中的芯片上几乎看不见底层的硅片, 都会被布线遮挡住

　　SOI (Silicon-on-Insulator) 技术:

　　传统CMOS技术的缺陷在于: 衬底的厚度会影响片上的寄生电容, 间接导致芯片的性能下降 SOI技术主要是将 源极/漏极 和 硅片衬底分开, 以达到(部分)消除寄生电容的目的

　　传统:

　　SOI:　

　　制作方法主要有以下几种(主要在于制作硅-二氧化硅-硅的结构, 之后的步骤跟传统工艺基本一致)1 高温氧化退火:

　　在硅表面离子注入一层氧离子层

　　等氧离子渗入硅层, 形成富氧层　

　　高温退火

　　成型

　　或者是2 Wafer Bonding(用两块! )不是要做夹心饼干一样的结构吗 爷不差钱! 来两块!

　　来两块!

　　对硅2进行表面氧化

　　对硅2进行氢离子注入对硅2进行氢离子注入

　　翻面

　　将氢离子层处理成气泡层将氢离子层处理成气泡层

　　切割掉多余部分切割掉多余部分

　　成型! + 再利用

　　光刻

　　离子注入离子注入

　　微观图长这样:

　　再次光刻+蚀刻

　　撤去保护, 中间那个就是Fin撤去保护, 中间那个就是Fin

　　门部位的多晶硅/高K介质生长门部位的多晶硅/高K介质生长

　　门部位的氧化层生长门部位的氧化层生长

　　长成这样

　　源极 漏极制作(光刻+ 离子注入)

　　初层金属/多晶硅贴片

　　蚀刻+成型

　　物理气相积淀长出表面金属层(因为是三维结构, 所有连线要在上部连出)

　　机械打磨(对! 不打磨会导致金属层厚度不一致)

我上的是汇佳ib，我有认识的人在汉合，具体课程怎么样我不知道，不过貌似和汇佳是一个体系的吧，反正新加坡说实话你要是想要英文环境呢那里确实没有，基本说中文就ok了，ib确实是一个不错的项目我觉得，到了大学以后转了很多学分，但也没有方便不方便，托福,sat什么的照样要考，而且不轻松哦～不过我感觉比普通高中要好啦，体验一下不一样的学习氛围～

IB就是International Baccalaureate的缩写。 IB国际大学准学士资格课程是得到世界各地200多所大学认可的入学资格课程, 比如法国、德国、荷兰、奥地利、美国及英国的大学。现在世界上有71个国家的500多所中学可以提供此项课程教学，该资格课程的国际性为学生们提供了一种跨国界接受教育的方便及可能性。学习专业涉及到医科、经济学、管理、应用语言学、戏剧等。 IB课程的最终资格考试试题由国际IB教育组织统一制定，学生通过考试后将有资格进入世界上任何一个国家的承认IB资格的大学学习，从而免受各国教育体制不同的影响。常规的IB课程为两年制，适用于16－19岁的在校学生。 国际文凭组织IBO（International Baccalaureate Organisation)正式成立于1967年，初衷是服务于国际学校，方便流动于国际间的家庭子女入学。它在联合国教科文组织拥有教育咨询伙伴的地位。作为在联合国教科文组织注册的国际教育机构，IBO在一百多个国家和地区拥有千余所成员学校。国际文凭组织汲取了众多国家的教改精华，推行师生的创造性理念，为培养具有多元文化和多学科知识的学生进行着不懈的努力。 IBO总部设在瑞士日内瓦，课程与考试中心在英国卡地夫。在亚太、北美、欧洲、拉丁美洲等地区分别设有办事处，负责管理、组织各自区域内的学校。 教育理念 国际文凭组织的理念是Education For Life。通过综合、平衡的学科设置和严格、科学的评估，培养学生成为富有批判精神和善于学习的终生学习者、地区及世界事物的积极参加者、尊重各民族文化和观念的友好者、具有国际意识和责任感的理想公民。 培养目标 所有国际文凭教育项目的目标均在于培养具有国际情怀的人， 他们承认人类共有的博爱精神，分担守护地球的责任，帮助开创一个更美好、更和平的世界。 北京的IB学校有： 1、北京世青国际学校 2、北京市私立汇佳学校 3、北京乐成国际学校 IB课程： IB-DP的课程一共有九门，其中三门称为核心课程，另外六门称为基本课程，六门是针对学生而言的，实际上开设了很大一堆，学生可以选择。 六门基本课程是针对知识教学设置的，回头正好用来和国内知识教学课程进行比较，看一看人家那种“少而精”的境界（知识点相对比国内少，接触的知识层次深，对思维和认知的启发面广，对后续学习尤其是自学的支持作用非常强）。 三门核心课程是非教学性质的，其中拓展论文（EE）指向培养学生的探索研究能力，知识理论（TOK）指向学生的全面知识结构，创新、行动、服务（CAS）指向学生的创造力培养、身体发展和社会性发展。可以说，三门核心课程，已经涵盖了除开知识教学以外的，属于教育范畴又可以在学校环境中展开的基本范围。 换句话说，学校角度的“非教学性教育”问题，主要就在这三门课程中了。现在我逐门解读一下这三门课程，自在的解读部分仍然放在方括号里。 拓展论文EE： 拓展论文允许学生在六门基本课程的其中一门内容中，自己选择一个专题进行独立研究，并得到指导老师的帮助，最终形成一篇不超过4000单词的英语论文。 这门课程的目标，是“使学生掌握评判性研究方法的技能”。“根据以往经验，大多数学生都从完成了一个非常透彻的个人论文中获得了极大的满足”，这是学校方面想告诉学生的话。 研究课题在所选课程的第二个学期确定，论文在毕业之前完成。未完成拓展论文的学生，不能获得毕业证 论文评估原则：是否符合学科研究论文的一般标准， 补充： 24分；是否符合所选学科的具体标准，12分。总分36分，据此分为A、B、C、D、E五等级，和知识理论课一起决定是否获得核心课程的奖分。 知识理论TOK： 知识理论课程每周开设，由各科老师和学生一起，以讲座和 研讨会 的形式进行。 课程目标：使学生重新审视所学过的各科目的知识，提出一些关于“知识”的更基本的、评判性的问题，这是一门严格的、评判性思维的训练课程。 课程中需要涉及的内容： 1语言和思想在知识中所起的作用 2对知识的 逻辑 精确性要求 3作为一个知识系统的 数学 4 自然科学 中的知识 5 社会科学 中的知识 6历史，我们真能够了解过去吗？ 7对 道德 、政治 和美 学的评判 8 洞察力 讨论9推理与知识 10感情 要求学生达到的效果： 知道有不同的认识事物的方法 欣赏有不同层次的必然性 明白我们所学到的知识，取决于我们的生活背景 能够应用知识来进行评估推理和证明 分析支撑知识形式的价值系统 评估方式：写一篇1200～1600单词的关于知识理论的 英语论文 ，40分，送IB总部考官评分；在知识理论范围内自行选题进行10分钟的口头表达考试，20分，总分60分，据此分为A、B、C、D、E五个等级， 会同 拓展 论文 成绩决定是否获得核心课程奖分。 没完成知识理论课的学生不能获得毕业证。 核心课程奖分： 由拓展论文EE和知识理论TOK两门课程评估等 级联 合决定，比如AA、AB、BA组合，奖分为最高分3分（IB-DP毕业满分45分，其中基本课程占42分）BB、AC、CA等组合为2分等等，如果是EE组合，则不及格，取消获得毕业证的资格。 创新、行动、服务课程CAS： 这是一门单纯的 活动课程 ，只有活动安排，没有授课内容。 要求每周每个学生CAS课程时间不少于3～4小时，整个学年中三部分内容总体要求均衡。CAS课程可以在学校开展的各种活动中进行选择。 所有需要创造力（创造性评判思维）的活动内容都可以算创新Creativity，如文化、 艺术 、 戏剧 、舞蹈、 摄影 、信息 通讯 、文 字处理 、桌面设计等等。 所有需要身体运动的活动内容都可以算行动Action，如游泳、 网球 、篮球、足球、野外旅行等等。 服务Service包括各种义务活动，它被看做是IB-DP项目中最重要的课程。如到 老人院 、 孤儿院 、乡村做义务工作；帮助辅导小学生学习；在学校 图书馆 做义务管理员等等。 评估：学生有自己的个人CAS 档案 ，，。 补充： CAS指导老师将察看这些 档案 并签署意见。CAS课程不参与奖分，只有完成和未完成区别，未完成CAS课程不能获得毕业证，本学年CAS课程小时数未完成，不能升入下 一学年 学习。 建议学生结合自己将来的 职业兴趣 选择CAS活动的具体内容，使部分活动与未来职业相联系。 CAS课程的目标是帮助学生认识和欣赏社会义务性工作、提供机会让学生为他人服务，提供挑战以培养学生的探索精神、自立精神、技能和兴趣，使得学生在课外有大量机会去赢得社会赞誉

关于证券公司IB业务专职人员的要求是这样规定的，证券公司总部应至少配备5名专职业务人员，开展介绍业务的证券营业部应至少配备2名专职业务人员。专职介绍业务人员要具备期货从业人员资格并通过中国期货业协会组织的介绍业务专项培训和考试。开展介绍业务的证券营业部负责人应参加中国期货业协会组织的专项培训，并取得培训证书。