怎么样研发 手机芯片？

如果您有还原软件或自带的还原，还原一下系统有效又省事。

你想想出事前你是怎么操作的？故障不会无缘无故的出现吧？将出事前下载所有东西全部卸载，在不可以，还原系统或重装，如果是硬件的问题就修修去，有问题请你追问（先看看下面的方法）。

电脑无声的解决方法：有修复系统和用软件安装声卡驱动的两种解决方法（首先看看小喇叭或在控制面板中看看是否设置了静音，在通过耳机检查是否有声音输出，如果有，则是音箱或喇叭和各连线的故障引起的，在有就是声卡驱动损坏引起的，如果是请您安装合适的声卡驱动，如果是硬件问题引起的，自己又解决不了，建议检修一下去，有问题请你追问我）

1、开机按F8不动到高级选项出现在松手，选“最近一次的正确配置”回车修复（这个方法可以恢复原来的驱动，如果您的电脑是Win8，进不了系统是进不了安全模式的，只有重装了）。

2、如果是因更新驱动引起的故障，右击我的电脑选属性，选设备管理器找到这个驱动右键选属性/上面的驱动程序选项/选下面返回驱动程序选项按确定（如果可以进入安全模式，也是开机按F8）。

3、如果故障依旧，还原系统或重装。

使用系统自带的系统还原的方法：

系统自带的系统还原：“开始”/“程序”/“附件”/“系统工具”/“系统还原”，点选“恢复我的计算机到一个较早的时间”，按下一步，你会看到日期页面有深色的日期，那就是还原点，你选择后，点击下一步还原（Win78还原系统，右击计算机选属性，在右侧选系统保护，系统还原，按步骤做就是了。如果有还原软件，也可以还原修复）。

病毒和木马或蠕虫干扰，或者丢失了系统文件（电脑管家的木马查杀，打开电脑管家一杀毒一扫描查杀）

3。电脑中下载的软件有冲突，不兼容，（电脑管家，软件卸载，找到卸载，再：强力清扫）！比如：播放器重复或有相似的，杀毒，浏览器，游戏，输入法有同类多余的，卸载多余的，只留一款！

4。软件需要更新，（电脑管家，软件升级，下载，覆盖安装，winrar可以不升）

5。系统有新的漏洞等待安装，（打开电脑管家一漏洞修复一扫描修复）

6。显卡或内存cpu，或风扇的接触不良和松动或有灰尘覆盖，（拔下橡皮擦擦）

7。内存cpu过热，散热性不好！（开机时间不要太长，关机散热）

8。电脑存在恶评插件! (扫描出来，立即清理)或磁盘碎片过多。

9。如果还是不行，说明系统文件丢失了！或者系统内存有很严重的错误了！

10。试试开机后按F8，回车，回车，进安全模式里，最后一次正确配置，按下去试试！或者，进安全模式，到桌面后，打开腾讯电脑管家，全盘杀毒！

11。玩游戏蓝屏，一般就是系统不支持这款游戏！（更换游戏版本或换xp系统）

12。下载的游戏，播放器，输入法，下载工具，浏览器，驱动，等等的程序不稳定！（使用电脑管家卸载重装或升级至最新版本）！

祝楼主工作顺利、生活愉快！！

有很多人都非常关注手机芯片的研发，手机芯片研发技术确实是很难的，这些山寨机的芯片其实也是有来路的。山寨机的芯片基本上都是来自于联发科所生产的芯片，由于芯片的等级是有高有低的，研发科的芯片属于低端的芯片，这些山寨手机拿到这些芯片之后就直接安装在手机上面，也不管芯片能不能发展好，而且也不管这个手机之后运行的流不流畅。而那些高端的芯片，比如说高通的芯片是需要手机厂商进行一些配置和开发，并且能够和手机相适应的，所以说山寨机和正规的手机之间是有天壤之别的。

联发科的芯片

联发科的芯片是生产的比较早的，当时智能手机逐渐发展起来，人们都需要一部智能手机。可是智能手机的价格以以前的生活水平来说还是比较贵的，再加上当时很少有国产的智能手机，基本上都是三星苹果这些外国手机。所以联发科就在这个过程中发现了商机，买了一些机器，简化了生产的步骤。于是就顺顺利的去生产出了一些低端的芯片，而这些低端的芯片卖给山寨机的生产厂商，山寨机再把这些芯片安装到自己的手机上面，制造出智能手机的样子。但是这些智能手机的使用性能都是比较差的，使用体验也不好，不能够和正规的手机相比较，所以这种芯片其实是没有什么价值的。

高端芯片的研发

高端芯片的研发是非常重要的，当自己的区域能够掌握到高端芯片的生产技术。那么不光光是手机电脑，汽车等生产都不会受到影响。但是高端芯片的研发是需要精密加工工艺的，而且也需要集成电路相关的知识。所以还是要先培养相关的人才，才能够促进手手机芯片的研发。

总结

对于高精尖的技术还是要自己掌握比较好，这样的话才不会被别人所限制。而科技型企业也需要不断的投入资金进行相关的研发，从而能够促进企业的优势。

CPU的生产过程编辑

要了解CPU的生产工艺，我们需要先知道CPU是怎么被制造出来的。

（1）

生产CPU等芯片的材料是半导体，现阶段主要的材料是硅Si，这是一种非金属元素，从化学的角度来看，由于它处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处，所以具有半导体的性质，适合于制造各种微小的晶体管，是目前最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。

在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径大都是300毫米，而CPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产。

（2）

硅锭造出来了，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切割成片状，称为晶圆。晶圆才被真正用于CPU的制造。所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个CPU的内核(Die)。一般来说，晶圆切得越薄，相同量的硅材料能够制造的CPU成品就越多。

（3）

在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist)物质，紫外线通过印制着CPU复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。而为了避免让不需要被曝光的区域也受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些区域。这是个相当复杂的过程，每一个遮罩的复杂程度得用10GB数据来描述。

（4）

这是CPU生产过程中重要操作，也是CPU工业中的重头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之曝光。接下来停止光照并移除遮罩，使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜，以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。

然后，曝光的硅将被原子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，以制造出N井或P井，结合上面制造的基片，CPU的门电路就完成了。

（5）

为加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂敷光阻物质，重复影印、蚀刻过程，得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构。重复多遍，形成一个3D的结构，这才是最终的CPU的核心。每几层中间都要填上金属作为导体。Intel的Pentium 4处理器有7层，而AMD的Athlon 64则达到了9层。层数决定于设计时CPU的布局，以及通过的电流大小。

（6）

这时的CPU是一块块晶圆，它还不能直接被用户使用，必须将它封入一个陶瓷的或塑料的封壳中，这样它就可以很容易地装在一块电路板上了。封装结构各有不同，但越高级的CPU封装也越复杂，新的封装往往能带来芯片电气性能和稳定性的提升，并能间接地为主频的提升提供坚实可靠的基础。

（7）

测试是一个CPU制造的重要环节，也是一块CPU出厂前必要的考验。这一步将测试晶圆的电气性能，以检查是否出了什么差错，以及这些差错出现在哪个步骤（如果可能的话）。接下来，晶圆上的每个CPU核心都将被分开测试。

由于SRAM（静态随机存储器，CPU中缓存的基本组成）结构复杂、密度高，所以缓存是CPU中容易出问题的部分，对缓存的测试也是CPU测试中的重要部分。

每块CPU将被进行完全测试，以检验其全部功能。某些CPU能够在较高的频率下运行，所以被标上了较高的频率；而有些CPU因为种种原因运行频率较低，所以被标上了较低的频率。最后，个别CPU可能存在某些功能上的缺陷，如果问题出在缓存上，制造商仍然可以屏蔽掉它的部分缓存，这意味着这块CPU依然能够出售，只是它可能是Celeron等低端产品。

当CPU被放进包装盒之前，一般还要进行最后一次测试，以确保之前的工作准确无误。根据前面确定的最高运行频率和缓存的不同，它们被放进不同的包装，销往世界各地。

2

随着生产工艺的进步，CPU应该是越做越小？可为什么现在CPU好像尺寸并没有减少多少，那么是什么原因呢？实际上CPU厂商很希望把CPU的集成度进一步提高，同样也需要把CPU做得更小，但是因为现在的生产工艺还达不到这个要求。

生产工艺这4个字到底包含些什么内容呢，这其中有多少高精尖技术的汇聚，CPU生产厂商是如何应对的呢？下文将根据上面CPU制造的7个步骤展开叙述，让我们一起了解当今不断进步的CPU生产工艺。

1

硅晶圆尺寸是在半导体生产过程中硅晶圆使用的直径值。硅晶圆尺寸越大越好，因为这样每块晶圆能生产更多的芯片。比如，同样使用013微米的制程在200mm的晶圆上可以生产大约179个处理器核心，而使用300mm的晶圆可以制造大约427个处理器核心，300mm直径的晶圆的面积是200mm直径晶圆的225倍，出产的处理器个数却是后者的2385倍，并且300mm晶圆实际的成本并不会比200mm晶圆来得高多少，因此这种成倍的生产率提高显然是所有芯片生产商所喜欢的。

然而，硅晶圆具有的一个特性却限制了生产商随意增加硅晶圆的尺寸，那就是在晶圆生产过程中，离晶圆中心越远就越容易出现坏点。因此从硅晶圆中心向外扩展，坏点数呈上升趋势，这样我们就无法随心所欲地增大晶圆尺寸。

总的来说，一套特定的硅晶圆生产设备所能生产的硅晶圆尺寸是固定的，如果对原设备进行改造来生产新尺寸的硅晶圆的话，花费的资金是相当惊人的，这些费用几乎可以建造一个新的生产工厂。不过半导体生产商们也总是尽最大努力控制晶圆上坏点的数量，生产更大尺寸的晶圆，比如8086 CPU制造时最初所使用的晶圆尺寸是50mm，生产Pentium 4时使用200mm的硅晶圆，而Intel新一代Pentium 4 Prescott则使用300mm尺寸硅晶圆生产。300mm晶圆被主要使用在90纳米以及65纳米的芯片制造上。

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蚀刻尺寸是制造设备在一个硅晶圆上所能蚀刻的一个最小尺寸，是CPU核心制造的关键技术参数。在制造工艺相同时，晶体管越多处理器内核尺寸就越大，一块硅晶圆所能生产的芯片的数量就越少，每颗CPU的成本就要随之提高。反之，如果更先进的制造工艺，意味着所能蚀刻的尺寸越小，一块晶圆所能生产的芯片就越多，成本也就随之降低。比如8086的蚀刻尺寸为3μm，Pentium的蚀刻尺寸是090μm，而Pentium 4的蚀刻尺寸当前是009μm（90纳米）。目前Intel的300mm尺寸硅晶圆厂可以做到0065μm（65纳米）的蚀刻尺寸。

此外，每一款CPU在研发完毕时其内核架构就已经固定了，后期并不能对核心逻辑再作过大的修改。因此，随着频率的提升，它所产生的热量也随之提高，而更先进的蚀刻技术另一个重要优点就是可以减小晶体管间电阻，让CPU所需的电压降低，从而使驱动它们所需要的功率也大幅度减小。所以我们看到每一款新CPU核心，其电压较前一代产品都有相应降低，又由于很多因素的抵消，这种下降趋势并不明显。

我们前面提到了蚀刻这个过程是由光完成的，所以用于蚀刻的光的波长就是该技术提升的关键。目前在CPU制造中主要是采用2489埃和1930埃（1埃=01纳米）波长的氪/氟紫外线，1930埃的波长用在芯片的关键点上，主要应用于018微米和013微米制程中，而目前Intel是最新的90纳米制程则采用了波长更短的1930埃的氩/氟紫外线。

以上两点就是CPU制造工艺中的两个因素决定，也是基础的生产工艺。这里有些问题要说明一下。Intel是全球制造技术最先进且拥有工厂最多的公司（Intel有10家以上的工厂做CPU），它掌握的技术也相当多，后面有详细叙述。AMD和Intel相比则是一家小公司，加上新工厂Fab36，它有3家左右的CPU制造工厂。同时AMD没有能力自己研发很多新技术，它主要是通过战略合作关系获取技术。

在025微米制程上，AMD和Intel在技术上处于同一水平，不过在向018微米转移时落在了后面。在感觉无法独自赶上Intel之后，AMD和摩托罗拉建立了战略合作伙伴关系。摩托罗拉拥有很多先进的电子制造技术，用于Apple电脑PowerPC的芯片HiPerMOS7(HiP7)就是他们完成的；AMD在获得授权后一下子就拥有了很多新技术，其中部分技术甚至比Intel的013微米技术还要好。现在AMD选择了IBM来共同开发65纳米和45纳米制造技术。它选择的这些都是相当有前景的合作伙伴，特别是IBM，一直作为业界的技术领袖，它是第一个使用铜互连、第一个使用低K值介电物质、第一个使用SOI等技术的公司。AMD获得的大多数技术很先进，而且对生产设备的要求不高，生产成本控制的很低，这也是AMD的优势。

图为AMD的新工厂Fab36中采用的APM 30 (Automated Precision Manufacturing)技术，可进一步实现制造的自动化，效率化。同时AMD还建造了自己的无尘实验室。

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在前面的第5节“重复、分层”中，我们知道了不同CPU的内部互连层数是不同的。这和厂商的设计是有关的，但它也可以间接说明CPU制造工艺的水平。这种设计没有什么好说的了，Intel在这方面已经落后了，当他们在013微米制程上使用6层技术时，其他厂商已经使用7层技术了；而当Intel准备好使用7层时，IBM已经开始了8层技术；当Intel在Prescott中引人7层带有Low k绝缘层的铜连接时，AMD已经用上9层技术了。更多的互连层可以在生产上亿个晶体管的CPU(比如Prescott)时提供更高的灵活性。

我们知道当晶体管的尺寸不断减小而处理器上集成的晶体管又越来越多的时候，连接这些晶体管的金属线路就更加重要了。特别是金属线路的容量直接影响信息传送的速度。在90纳米制程上，Intel推出了新的绝缘含碳的二氧化硅来取代氟化硅酸盐玻璃，并同时表示这可以增加18%的内部互连效率。

就是抵制啊，这很正常的，因为就是我们国家之间有竞争，然后看不顺眼这个样子，所以导致就是华为的这个芯片受到限制什么的，所以这是正常的。下面是关于芯片的扩展资料。

晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管。

集成电路对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm2，每mm2可以达到一百万个晶体管。

第一个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器。