三极管全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
三极管的使用：
选用晶体管一要符合设备及电路的要求，二要符合节约的原则。根据用途的不同，一般应考虑以下几个因素：工作频率、集电极电流、耗散功率、电流放大系数、反向击穿电压、稳定性及饱和压降等。这些因素又具有相互制约的关系，在选管时应抓住主要矛盾，兼顾次要因素。
低频管的特征频率fT一般在25MHz以下，而高频管的fT都从几十兆赫到几百兆赫甚至更高。选管时应使fT为工作频率的3～10倍。原则上讲，高频管可以代换低频管，但是高频管的功率一般都比较小，动态范围窄，在代换时应注意功率条件。
一般希望β选大一些，但也不是越大越好。β太高了容易引起自激振荡，何况一般β高的管子工作多不稳定，受温度影响大。通常β多选40～100之间，但低噪声高β值的管子(如1815、9011~9015等)，β值达数百时温度稳定性仍较好。另外，对整个电路来说还应该从各级的配合来选择β。例如前级用β高的，后级就可以用β较低的管子；反之，前级用β较低的，后级就可以用β较高的管子。
集电极-发射极反向击穿电压UCEO应选得大于电源电压。穿透电流越小，对温度的稳定性越好。普通硅管的稳定性比锗管好得多，但普通硅管的饱和压降较锗管为大，在某些电路中会影响电路的性能，应根据电路的具体情况选用，选用晶体管的耗散功率时应根据不同电路的要求留有一定的余量。
对高频放大、中频放大、振荡器等电路用的晶体管，应选用特征频率fT高、极间电容较小的晶体管，以保证在高频情况下仍有较高的功率增益和稳定性
扩展资料：
三极管放大原理：
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。
另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
-三极管
一、工具：
指针万用表、塑封三极管，以9018为例
二、具体步骤：
1、三极管内部实际是两个二极管组成的，只不过是公用一个极。既然是二极管就可以有万用表电阻档来测量。所以用RX1K档，再调零。
2、以9018来测试。首先分开三只引线，红黑表笔测量任意两个引线。
3、在测量过程中交换表笔测出阻值。一般是不通时为无穷大，有5K左右阻值的导通电阻时记下表笔和引线，在对调表笔，直到有一表笔不变动，另一表笔分别接触其他两根引线都有5K左右阻值时。不变动的那个表笔所接触的引线就是该三极管的基极。这里就可确定黑笔是基极b。
4、虽然找到三极管的基极，但是还有两个极没有分清。所以再测量。黑笔基极不变，再分别测量另两引线的阻值。这时的选RX10档，因为经过测量发现阻值很接近，所以选低档测出两个值。
5、从测量的结果来确认极性。阻值稍小的那脚就是集电极，用C表示极性。另一引线就是发射极，用e表示。
6、这是测量好的元件。灵活应用就是其中的两脚正反测量都是导通，说明这只三极管击穿了，如果怎么测量都没有电阻，说明三极管断路。更多的情况是击穿。这是最基本的测量方法。也是最简单的方法。
欢迎分享，转载请注明来源：品搜搜测评网
微信扫一扫
支付宝扫一扫
